CY14B116K-ZS25XIT

数据手册

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CY14B116K-ZS25XIT
CY14B116K-ZS25XIT
数据手册

商品详情

  • 实时时钟
    Y
  • 密度
    16384 kBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 最高 工作电压 (VCCQ)
    3.6 V
  • 工作电压 范围
    2.7 V 至 3.6 V
  • 引线球表面
    Pure Sn
  • 接口
    Parallel
  • 看门狗定时器
    Y
  • 组织(X x Y)
    2Mb x 8
  • 警报
    Y
  • 认证标准
    Industrial
  • 速度
    25 ns
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
包装尺寸
包装类型
湿度
防潮包装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:
CY14B116K-ZS25XIT是一款16 Mbit（2048 K×8）nvSRAM，集成RTC，将SRAM速度与QuantumTrap非易失存储结合。工作电压2.7 V至3.6 V，温度–40°C至+85°C，访问时间25 ns。通过19.8–82 µF的VCAP电容在掉电时AutoStore，上电RECALL恢复数据。耐久度1,000,000次STORE循环，数据保持20年。

特性

  • 16-Mbit nvSRAM(SRAM+NV)
  • 2048K×8或1024K×16
  • 25 ns / 45 ns访问选项
  • 掉电自动AutoStore
  • 软件或HSB引脚STORE
  • 上电或软件RECALL
  • 100万次STORE循环
  • 数据保持20年
  • VCC 2.7 V至3.6 V
  • 睡眠模式RTC继续运行
  • 睡眠电流最大10 µA
  • RTC闹钟/看门狗/方波

产品优势

  • 兼顾SRAM速度与断电保护
  • 适配x8或x16存储总线
  • 25/45 ns减少等待周期
  • 自动保存防止数据丢失
  • 事件触发可按需STORE
  • 上电快速恢复数据
  • 高耐久适合数据记录
  • 长保持降低维护成本
  • 单电源2.7-3.6 V简化设计
  • 睡眠模式降低系统功耗
  • 10 µA睡眠延长电池寿命
  • RTC功能减少外部芯片

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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