CY14B116N-ZSP25XI
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

CY14B116N-ZSP25XI

封装

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CY14B116N-ZSP25XI
CY14B116N-ZSP25XI

商品详情

  • 密度
    16 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 最高 工作电压 (VCCQ)
    3.6 V
  • 工作电压 范围
    2.7 V 至 3.6 V
  • 引线球表面
    Pure Sn
  • 接口
    Parallel
  • 目前计划的可用性至少到
    2031
  • 组织(X x Y)
    1Mb x 16
  • 认证标准
    Industrial
  • 速度
    25 ns
推荐的
OPN
CY14B116N-ZSP25XI
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TSOP-54
封装名 TSOP-II-54 (51-85160)
封装尺寸 216
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TSOP-54
封装名 TSOP-II-54 (51-85160)
封装尺寸 216
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
CY14B116N-ZSP25XI是一款 16 Mbit (1024K × 16) 并行 nvSRAM，结合了 SRAM 和 QuantumTrap 非易失性存储器。 它的工作电压为 2.7V 至 3.6V，温度范围为 -40°C 至 85°C，掉电时可使用 19.8 µF 至 82.0 µF VCAP 电容器进行自动存储和上电 RECALL 。 STORE/RECALL可以通过软件或 HSB 引脚发起。该器件支持 54 引脚 TSOP II 封装，提供 25 ns 的访问时间。

特性

  • 16-Mbit nvSRAM、SRAM 接口
  • 通过 VCAP 电源恢复时自动存储
  • 通过软件或 HSB 引脚存储
  • 通过软件或乘方上召回
  • QuantumTrap 非易失性信元技术
  • 100万次存储循环到量子陷阱
  • 20 年数据保留
  • 无限次SRAM读/写/调用循环
  • 睡眠模式电流最大 10 µA
  • 乘方向上 RECALL 持续时间 30 毫秒
  • 存储周期持续时间 8 毫秒
  • VCAP 电容器 19.8 µF 至 82 µF

产品优势

  • 断电仍可保持数据
  • 无需电池即可保持
  • 保存/恢复控制方式灵活
  • 来电后快速重启/恢复
  • 高耐久度，适合频繁保存
  • SRAM 写入无磨损老化问题
  • 存储数据使用寿命长
  • 睡眠模式降低空闲功耗
  • 10 µA 睡眠电流适合低功耗系统
  • 关机保存时间可预测
  • 简单的保持电容简化了设计
  • STORE/RECALL 期间会阻塞访问
文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }