现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

CY14B116N-ZSP25XI

数据手册
封装
每件.
有存货

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

CY14B116N-ZSP25XI
CY14B116N-ZSP25XI
每件.
数据手册

商品详情

  • 密度
    16 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 最高 工作电压 (VCCQ)
    3.6 V
  • 工作电压 范围
    2.7 V 至 3.6 V
  • 引线球表面
    Pure Sn
  • 接口
    Parallel
  • 目前计划的可用性至少到
    2031
  • 组织(X x Y)
    1Mb x 16
  • 认证标准
    Industrial
  • 速度
    25 ns
推荐的
OPN
CY14B116N-ZSP25XI
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TSOP-54
封装名 TSOP-II-54 (51-85160)
包装尺寸 216
包装类型 TRAY
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TSOP-54
封装名 TSOP-II-54 (51-85160)
包装尺寸 216
包装类型 TRAY
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
CY14B116N-ZSP25XI是一款16-Mbit（1024K×16）并行nvSRAM，将SRAM与QuantumTrap非易失单元集成。工作电压2.7 V至3.6 V、温度-40°C至85°C，掉电时通过19.8 µF至82.0 µF的VCAP电容自动AutoStore，上电执行RECALL。STORE/RECALL也可由软件或HSB引脚触发。提供25 ns访问时间，54引脚TSOP II封装。

特性

  • 16-Mbit nvSRAM,SARAM接口
  • 掉电AutoStore经VCAP
  • 软件或HSB触发STORE
  • 软件或上电触发RECALL
  • QuantumTrap非易失技术
  • QuantumTrap 100万次STORE
  • 数据保持20年
  • SRAM读写/RECALL无限次
  • 睡眠电流最大10 µA
  • 上电RECALL时间30 ms
  • STORE周期时间8 ms
  • VCAP电容19.8-82 µF

产品优势

  • 断电也能保留数据
  • 无需电池实现数据保持
  • 保存/恢复控制更灵活
  • 来电后快速恢复运行
  • 频繁保存也耐久
  • SRAM写入不会磨损寿命
  • 已存数据寿命更长
  • 睡眠降低空闲功耗
  • 10 µA睡眠适合低功耗
  • 关断保存时间可预测
  • 小电容维持简化设计
  • STORE/RECALL期间禁止访问

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }