现货，推荐
符合RoHS标准

CY14B116S-BZ25XI

数据手册
封装

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CY14B116S-BZ25XI
CY14B116S-BZ25XI
数据手册

商品详情

  • 密度
    16 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 工作电压 范围
    2.7 V 至 3.6 V
  • 最高 工作电压 (VCCQ)
    3.6 V
  • 引线球表面
    Sn/Ag/Cu
  • 接口
    Parallel
  • 目前计划的可用性至少到
    2031
  • 组织(X x Y)
    512Kb x 32
  • 认证标准
    Industrial
  • 速度
    25 ns
推荐的
OPN
CY14B116S-BZ25XI
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-BGA-165
封装名 FBGA-165 (51-85195)
包装尺寸 105
包装类型 TRAY
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-BGA-165
封装名 FBGA-165 (51-85195)
包装尺寸 105
包装类型 TRAY
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
CY14B116S-BZ25XI是一款16-Mbit nvSRAM，包含512K × 32 SRAM阵列与QuantumTrap非易失存储。工作电压2.7 V至3.6 V，温度范围-40°C至85°C，支持25 ns访问时间。掉电时通过外部VCAP电容（19.8 µF至82.0 µF）自动STORE，上电自动RECALL，并支持硬件或软件STORE/RECALL。-BZ25XI为165球FBGA封装。

特性

  • 16-Mbit nvSRAM,SARAM接口
  • 掉电AutoStore经VCAP
  • 软件或HSB触发STORE
  • 软件或上电触发RECALL
  • QuantumTrap非易失技术
  • QuantumTrap 100万次STORE
  • 数据保持20年
  • SRAM读写/RECALL无限次
  • 睡眠电流最大10 µA
  • 上电RECALL时间30 ms
  • STORE周期时间8 ms
  • VCAP电容19.8-82 µF

产品优势

  • 断电也能保留数据
  • 无需电池实现数据保持
  • 保存/恢复控制更灵活
  • 来电后快速恢复运行
  • 频繁保存也耐久
  • SRAM写入不会磨损寿命
  • 已存数据寿命更长
  • 睡眠降低空闲功耗
  • 10 µA睡眠适合低功耗
  • 关断保存时间可预测
  • 小电容维持简化设计
  • STORE/RECALL期间禁止访问

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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