CY14B256I-SFXI
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

CY14B256I-SFXI

数据手册
封装

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CY14B256I-SFXI
CY14B256I-SFXI
数据手册


商品详情

  • Frequency
    3.4 MHz
  • 实时时钟
    Y
  • 密度
    256 kBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 工作电压 范围
    2.7 V 至 3.6 V
  • 最高 工作电压 (VCCQ)
    3.6 V
  • 引线球表面
    Pure Sn
  • 接口
    I2C
  • 看门狗定时器
    Y
  • 组织(X x Y)
    32Kb x 8
  • 警报
    Y
  • 质量等级
    Industrial
  • 速度
    0 ns

推荐的
OPN
CY14B256I-SFXI
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-DSO-16
封装名 SOIC-16 (51-85022)
封装尺寸 690
封装类型 TUBE
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-DSO-16
封装名 SOIC-16 (51-85022)
封装尺寸 690
封装类型 TUBE
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
CY14B256I-SFXI 是一款 256Kbit (32K×8) 串行 I2C nvSRAM，带有集成实时时钟。它的运行电压范围为 2.7 V 至 3.6 V，工作温度范围为 -40°C 至 +85°C，支持 I2C 速度高达 3.4 MHz，并具有零周期读/写功能。AutoStore 在掉电时将 SRAM 复制到 QuantumTrap 非易失性单元，并在上电时RECALL；还可以通过命令进行STORE/RECALL。 16 引脚 SOIC 封装，85°C 下数据保持时间为 20 年。

特性

  • 256 Kbit nvSRAM (32 K × 8)
  • 电源恢复时自动存储
  • 通过I2C进行软件存储/调用
  • 通过 HSB 引脚进行硬件存储
  • 乘方向上 RECALL 恢复 SRAM
  • I2C最高频率 3.4 MHz（高速模式）
  • 3.4 MHz 时平均电流为 1 mA
  • 最大待机电流250 µA
  • 睡眠模式最大电流 8 µA
  • 85°C下保存20年
  • 100万次存储循环到量子陷阱
  • RTC：闹钟、WDT、SQW 1 Hz-32 kHz

产品优势

  • 具备非易失数据能力的 SRAM 速度
  • 电量丢失时自动保存数据
  • 固件可以强制NV保存/恢复
  • 引脚触发保存，响应更快
  • 供电恢复后可立即恢复数据
  • 快速I2C适合高吞吐量
  • 低工作电流，降低功耗预算
  • 低待机电流，延长续航
  • 低睡眠电流，适合电池供电设计
  • 长数据保持期，保护已存数据
  • 高耐久性降低磨损顾虑
  • 集成 RTC 功能，减少外部器件

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区