现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

CY14B256LA-SP25XIT

数据手册
封装
每件.
有存货

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

CY14B256LA-SP25XIT
CY14B256LA-SP25XIT
每件.
数据手册

商品详情

  • 密度
    256 kBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 工作电压 范围
    2.7 V 至 3.6 V
  • 最高 工作电压 (VCCQ)
    3.6 V
  • 引线球表面
    Ni/Pd/Au
  • 接口
    Parallel
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
  • 组织(X x Y)
    32Kb x 8
  • 认证标准
    Industrial
  • 速度
    25 ns
推荐的
OPN
CY14B256LA-SP25XIT
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-SSOP-48
封装名 SSOP-48 (51-85061)
包装尺寸 1000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-SSOP-48
封装名 SSOP-48 (51-85061)
包装尺寸 1000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
CY14B256LA-SP25XIT为256 Kbit（32 K×8）并行nvSRAM，将高速SRAM与QuantumTrap非易失存储集成。工作电压2.7 V至3.6 V，温度−40°C至85°C，支持25 ns访问。掉电时通过61 µF至180 µF的VCAP电容自动STORE，并支持引脚或软件STORE/RECALL。耐久度100万次STORE，数据保持20年。

特性

  • 32 K×8并行SRAM接口
  • 每单元QuantumTrap非易失
  • 掉电AutoStore(VCAP)
  • HSB引脚触发STORE
  • 6次读序列STORE/RECALL
  • 全阵列并行STORE/RECALL
  • 单电源2.7 V至3.6 V
  • 非易失STORE次数1000 K
  • 数据保持20年
  • SRAM读写次数无限
  • 待机电流最大5 mA
  • 输入漏电±1 µA(非HSB)

产品优势

  • 断电自动保存数据
  • 数据备份无需电池
  • 接口如SRAM易替换
  • STORE控制方式灵活
  • 纯软件实现备份/恢复
  • 上电后快速恢复数据
  • 兼容常见3 V电源
  • 支持长期关键数据记录
  • 配置数据可保存20年
  • 运行中可无限更新SRAM
  • 待机模式降低功耗
  • 降低对漏电敏感的风险

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }