CY14B256LA-SZ45XI

适用于宽温度范围工业应用的高密度 256 kBit 并行 SRAM
数据手册

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CY14B256LA-SZ45XI
CY14B256LA-SZ45XI
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商品详情

  • 密度
    256 kBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 最高 工作电压 (VCCQ)
    3.6 V
  • 工作电压 范围
    2.7 V 至 3.6 V
  • 引线球表面
    Pure Sn
  • 接口
    Parallel
  • 组织(X x Y)
    32Kb x 8
  • 认证标准
    Industrial
  • 速度
    45 ns
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
包装尺寸
包装类型
湿度
防潮包装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:
CY14B256LA-SZ45XI是一款256 Kbit（32 K×8）并行nvSRAM，将高速SRAM与QuantumTrap非易失单元集成，实现断电瞬时数据备份。单电源2.7 V至3.6 V，-40°C至85°C工作，并配合61 µF至180 µF的VCAP电容通过AutoStore在掉电时STORE、上电时RECALL。SZ45XI为45 ns、32引脚SOIC，数据保持20年并支持100万次STORE循环。

特性

  • 32 K×8并行SRAM接口
  • 每单元QuantumTrap非易失
  • 掉电AutoStore(VCAP)
  • HSB引脚触发STORE
  • 6次读序列STORE/RECALL
  • 全阵列并行STORE/RECALL
  • 单电源2.7 V至3.6 V
  • 非易失STORE次数1000 K
  • 数据保持20年
  • SRAM读写次数无限
  • 待机电流最大5 mA
  • 输入漏电±1 µA(非HSB)

产品优势

  • 断电自动保存数据
  • 数据备份无需电池
  • 接口如SRAM易替换
  • STORE控制方式灵活
  • 纯软件实现备份/恢复
  • 上电后快速恢复数据
  • 兼容常见3 V电源
  • 支持长期关键数据记录
  • 配置数据可保存20年
  • 运行中可无限更新SRAM
  • 待机模式降低功耗
  • 降低对漏电敏感的风险

应用

文档

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设计资源

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