CY14B256LA-ZS25XIT
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

CY14B256LA-ZS25XIT

封装

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CY14B256LA-ZS25XIT
CY14B256LA-ZS25XIT

商品详情

  • 密度
    256 kBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 最高 工作电压 (VCCQ)
    3.6 V
  • 工作电压 范围
    2.7 V 至 3.6 V
  • 引线球表面
    Ni/Pd/Au
  • 接口
    Parallel
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
  • 组织(X x Y)
    32Kb x 8
  • 认证标准
    Industrial
  • 速度
    25 ns
推荐的
OPN
CY14B256LA-ZS25XIT
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TSOP-44
封装名 TSOP-II-44 (51-85087)
封装尺寸 1000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TSOP-44
封装名 TSOP-II-44 (51-85087)
封装尺寸 1000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
CY14B256LA-ZS25XIT 是一款 256 Kbit (32 K × 8) 并行 nvSRAM，结合了快速 SRAM 和 QuantumTrap 非易失性存储。它的工作电压为 2.7V 至 3.6V，温度范围为 -40°C 至 85°C，访问时间为 25 ns。 使用 61–180 µF VCAP 电容器或通过 HSB 引脚或软件命令在掉电时自动保存数据。 采用 44 引脚 TSOP II 封装，额定存储循环次数为 100 万次，数据保持时间为 20 年。

特性

  • 32 K × 8 并行 SRAM 接口
  • QuantumTrap 每信元非易失性
  • 通过 VCAP 电源恢复时自动存储
  • 通过 HSB 引脚控制存储
  • 通过6读序列进行存储/调用
  • 所有信元的并行存储/调用
  • 2.7V 至 3.6V 单电源
  • 1,000 K 非易失性存储循环
  • 20 年数据保留
  • 无限次SRAM读/写循环
  • 待机电流最大 5 mA
  • 输入泄漏 ±1 µA（非 HSB）

产品优势

  • 断电时自动保持数据
  • 数据备份无需电池
  • 类似 SRAM 的简单并行总线接口
  • 灵活的 STORE控制选项
  • 仅靠软件即可控制备份/恢复
  • 供电恢复后快速恢复数据
  • 适用于常见的 3 V 电源轨
  • 关键数据可长期记录
  • 配置数据可保存 20 年
  • 运行期间 SRAM 可无限次更新写入
  • 待机模式下降低空闲功耗
  • 降低漏电带来的影响

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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