CY14B256Q2-LHXI

数据手册

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

CY14B256Q2-LHXI
CY14B256Q2-LHXI
数据手册

商品详情

  • 密度
    256 kBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 工作电压 范围
    2.7 V 至 3.6 V
  • 最高 工作电压 (VCCQ)
    3.6 V
  • 引线球表面
    Ni/Pd/Au
  • 接口
    SPI
  • 组织(X x Y)
    32Kb x 8
  • 认证标准
    Industrial
  • 速度
    0 ns
  • 频率
    40 MHz
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
包装尺寸
包装类型
湿度
防潮包装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:
CY14B256Q2-LHXI是一款256-Kbit（32K×8）SPI nvSRAM，将SRAM与QuantumTrap非易失单元集成，实现无需电池的数据保持。支持40-MHz SPI（模式0/3）、WP写保护与软件块保护，以及软件STORE/RECALL。通过外部61 µF至180 µF的VCAP电容在掉电时自动STORE。工作电压2.7 V至3.6 V，温度-40°C至85°C，采用8引脚DFN封装。

特性

  • 256-Kbit nvSRAM，32K×8
  • 掉电自动STORE（VCAP）
  • SPI指令触发STORE
  • 上电或SPI触发RECALL
  • SPI时钟高达40 MHz
  • 支持SPI模式0和模式3
  • 3 V供电：2.7 V至3.6 V
  • 40 MHz时平均电流10 mA
  • 待机电流5 mA（CS高）
  • 数据保持20年
  • 非易失STORE达1,000 K次
  • WP脚与分块写保护

产品优势

  • 兼具SRAM速度与非易失备份
  • 断电自动保存关键数据
  • 软件STORE实现可控保存
  • 来电快速恢复运行数据
  • 40 MHz SPI降低访问延迟
  • 兼容常见SPI主机与模式
  • 适配标准3 V电源轨
  • 降低功耗预算与散热压力
  • 待机降低空闲耗电
  • 长保持减少维护与更换
  • 高STORE寿命适合数据记录
  • 写保护防止误写与损坏

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }