CY14B256Q2-LHXI

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CY14B256Q2-LHXI
CY14B256Q2-LHXI


商品详情

  • Frequency
    40 MHz
  • 密度
    256 kBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 工作电压 范围
    2.7 V 至 3.6 V
  • 最高 工作电压 (VCCQ)
    3.6 V
  • 引线球表面
    Ni/Pd/Au
  • 接口
    SPI
  • 组织(X x Y)
    32Kb x 8
  • 质量等级
    Industrial
  • 速度
    0 ns

OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
CY14B256Q2-LHXI是一款 256-Kbit (32K × 8) SPI nvSRAM,它将 SRAM 与 QuantumTrap 非易失性存储器配对,无需电池即可保留数据。 它支持 40MHz SPI(模式 0 和 3),通过 WP 和软件功能块保护进行写保护,以及软件STORE/RECALL。 掉电时使用外部 61 µF 至 180 µF VCAP 电容器自动存储。 采用 8 引脚 DFN 封装,工作电压范围为 2.7 V 至 3.6 V,工作温度范围为 -40°C 至 85°C。

特性

  • 256-Kbit nvSRAM,32K × 8 阵列
  • 电源恢复时自动存储 (VCAP)
  • 通过SPI指令存储
  • 乘方向上或SPI召回
  • SPI时钟频率最高可达40MHz
  • SPI 模式 0 (0,0) 和 3 (1,1)
  • 3.0 电源电压为 2.7V 至 3.6V
  • 40 MHz 时平均电源电流 10 mA
  • 待机电流 5 mA(CS 高)
  • 20 年数据保留
  • 1,000 K 非易失性存储循环
  • WP引脚和功能块写保护

产品优势

  • 具备 SRAM 速度,并提供非易失备份
  • 断电时自动保存数据
  • 支持软件 STORE,实现安全保存
  • 供电恢复后快速恢复数据
  • 40 MHz SPI 降低访问延迟
  • 兼容常见 SPI 主机与模式
  • 支持标准 3 V 供电
  • 低电流便于功耗预算
  • 待机模式降低空闲功耗
  • 长期数据保持,可保存多年
  • STORE 次数耐久性高,适合数据记录
  • 写保护功能可防止数据损坏

应用

文档

设计资源

开发者社区