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CY14E116L-ZS25XI
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CY14E116L-ZS25XI

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CY14E116L-ZS25XI
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商品详情

  • 密度
    16384 kBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 最高 工作电压 (VCCQ)
    3.6 V
  • 工作电压 范围
    4.5 V 至 5.5 V
  • 引线球表面
    Pure Sn
  • 接口
    Parallel
  • 组织(X x Y)
    2Mb x 8
  • 质量等级
    Industrial
  • 速度
    25 ns

OPN
CY14E116L-ZS25XI
产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-TSOP-44
封装名 TSOP-II-44 (51-85087)
封装尺寸 675
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
封装产地
TW
晶圆产地
US
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产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-TSOP-44
封装名 TSOP-II-44 (51-85087)
封装尺寸 675
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地
TW
晶圆产地
US
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CY14E116L-ZS25XI是一款 16 Mbit nvSRAM (2048K × 8)，它将快速 SRAM 与 QuantumTrap 非易失性存储器结合在每个单元中。 它的运行电压范围为 4.5 V 至 5.5 V，并使用外部 VCAP 电容器 (19.8–82.0 µF），上电 RECALL，也支持通过软件进行操作。 工业级 -40 至 85°C，25 ns 访问时间，44 引脚 TSOP II，具有 1M 存储循环次数和 20 年保留期。

特性

  • 16-Mbit nvSRAM、SRAM 接口
  • 通过 VCAP 电源恢复时自动存储
  • 通过软件或 HSB 引脚存储
  • 通过软件或乘方上召回
  • QuantumTrap 非易失性信元技术
  • 100万次存储循环到量子陷阱
  • 20 年数据保留
  • 无限次SRAM读/写/调用循环
  • 睡眠模式电流最大 10 µA
  • 乘方向上 RECALL 持续时间 30 毫秒
  • 存储周期持续时间 8 毫秒
  • VCAP 电容器 19.8 µF 至 82 µF

产品优势

  • 断电仍可保持数据
  • 无需电池即可保持
  • 保存/恢复控制方式灵活
  • 来电后快速重启/恢复
  • 高耐久度，适合频繁保存
  • SRAM 写入无磨损老化问题
  • 存储数据使用寿命长
  • 睡眠模式降低空闲功耗
  • 10 µA 睡眠电流适合低功耗系统
  • 关机保存时间可预测
  • 简单的保持电容简化了设计
  • STORE/RECALL 期间会阻塞访问

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区