CY14E116N-Z30XIT

数据手册

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CY14E116N-Z30XIT
CY14E116N-Z30XIT
数据手册

商品详情

  • 密度
    16384 kBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 最高 工作电压 (VCCQ)
    5.5 V
  • 工作电压 范围
    4.5 V 至 5.5 V
  • 引线球表面
    Pure Sn
  • 接口
    Parallel
  • 组织(X x Y)
    1Mb x 16
  • 认证标准
    Industrial
  • 速度
    30 ns
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
包装尺寸
包装类型
湿度
防潮包装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:
CY14E116N-Z30XIT为16-Mbit nvSRAM，1024K × 16组织，将SRAM与QuantumTrap非易失存储集成。工作电压4.5 V至5.5 V，温度-40°C至85°C，30 ns访问时间。掉电自动STORE需外接VCAP电容(19.8 µF至82.0 µF)，上电或软件/HSB引脚触发RECALL。数据保持20年，支持100万次STORE循环。

特性

  • 16-Mbit nvSRAM,SARAM接口
  • 掉电AutoStore经VCAP
  • 软件或HSB触发STORE
  • 软件或上电触发RECALL
  • QuantumTrap非易失技术
  • QuantumTrap 100万次STORE
  • 数据保持20年
  • SRAM读写/RECALL无限次
  • 睡眠电流最大10 µA
  • 上电RECALL时间30 ms
  • STORE周期时间8 ms
  • VCAP电容19.8-82 µF

产品优势

  • 断电也能保留数据
  • 无需电池实现数据保持
  • 保存/恢复控制更灵活
  • 来电后快速恢复运行
  • 频繁保存也耐久
  • SRAM写入不会磨损寿命
  • 已存数据寿命更长
  • 睡眠降低空闲功耗
  • 10 µA睡眠适合低功耗
  • 关断保存时间可预测
  • 小电容维持简化设计
  • STORE/RECALL期间禁止访问

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }