CY14E116N-Z30XIT

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CY14E116N-Z30XIT
CY14E116N-Z30XIT

商品详情

  • 密度
    16384 kBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 最高 工作电压 (VCCQ)
    5.5 V
  • 工作电压 范围
    4.5 V 至 5.5 V
  • 引线球表面
    Pure Sn
  • 接口
    Parallel
  • 组织(X x Y)
    1Mb x 16
  • 认证标准
    Industrial
  • 速度
    30 ns
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:
CY14E116N-Z30XIT 是一款 16 Mbit nvSRAM，存储结构为 1024K × 16，结合了 SRAM 和 QuantumTrap 非易失性存储器。它的运行电压为 4.5 V 至 5.5 V，温度范围为 -40°C 至 85°C，并支持 30 ns 访问时间。 掉电时自动存储使用外部 VCAP 电容器（19.8 µF 至 82.0 µF），并通过上电或通过软件/HSB 引脚进行 RECALL。 它规定数据保存期为 20 年，存储循环次数为 100 万次。

特性

  • 16-Mbit nvSRAM、SRAM 接口
  • 通过 VCAP 电源恢复时自动存储
  • 通过软件或 HSB 引脚存储
  • 通过软件或乘方上召回
  • QuantumTrap 非易失性信元技术
  • 100万次存储循环到量子陷阱
  • 20 年数据保留
  • 无限次SRAM读/写/调用循环
  • 睡眠模式电流最大 10 µA
  • 乘方向上 RECALL 持续时间 30 毫秒
  • 存储周期持续时间 8 毫秒
  • VCAP 电容器 19.8 µF 至 82 µF

产品优势

  • 断电仍可保持数据
  • 无需电池即可保持
  • 保存/恢复控制方式灵活
  • 来电后快速重启/恢复
  • 高耐久度，适合频繁保存
  • SRAM 写入无磨损老化问题
  • 存储数据使用寿命长
  • 睡眠模式降低空闲功耗
  • 10 µA 睡眠电流适合低功耗系统
  • 关机保存时间可预测
  • 简单的保持电容简化了设计
  • STORE/RECALL 期间会阻塞访问

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区