CY14E256LA-SZ25XI

CY14E256LA-SZ25XI

适用于工业应用、工作范围宽的高密度 256 Kbit 并行 SRAM
数据手册

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

CY14E256LA-SZ25XI
CY14E256LA-SZ25XI
数据手册

商品详情

  • 密度
    256 kBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 最高 工作电压 (VCCQ)
    5.5 V
  • 工作电压 范围
    4.5 V 至 5.5 V
  • 引线球表面
    Pure Sn
  • 接口
    Parallel
  • 组织(X x Y)
    32Kb x 8
  • 认证标准
    Industrial
  • 速度
    25 ns
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:
CY14E256LA-SZ25XI 是一款 256 Kbit (32 K × 8) 并行 nvSRAM，它将快速 SRAM 与 QuantumTrap 非易失性存储器相结合。它采用 4.5 V 至 5.5 V 的单电源供电，具有 25 ns 的访问时间功能。 数据在掉电时使用 68 µF VCAP 电容器自动存储，并在上电RECALL，也支持软件或 HSB 引脚进行控制。 它支持 100 万次 STORE 循环，在 -40 至 85°C 温度范围内可保存 20 年。

特性

  • 32 K × 8 nvSRAM 阵列
  • QuantumTrap 非易失性信元
  • 电源恢复时自动存储 (VCAP)
  • 通过 6 读序列进行软件存储
  • 通过 6 读序列进行软件召回
  • HSB 引脚：HW STORE 请求
  • HSB 开漏忙指示器
  • 单电源供电，4.5V 至 5.5V
  • VCAP 电容器 61 µF 至 180 µF
  • 低电平-V 禁止写入和存储
  • 20 年数据保留
  • 1,000 K STORE 循环耐久性

产品优势

  • 断电仍可保留数据
  • 无需电池后备 SRAM
  • AutoStore 自动保存状态，无需人工干预
  • 通过简单的MCU读取进行STORE/RECALL
  • HSB 忙标志避免总线冲突
  • 可使用普通的 5V 电源轨
  • 明确定义的 VCAP 范围加快设计导入
  • 低压锁定防止数据损坏
  • 耐久度适合频繁数据记录
  • 长期数据保持，便于维护支持
  • 无需固件即可提供非易失备份
  • 供电恢复后减少停机时间

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区