CY14E256LA-SZ25XI

适用于工业应用、工作范围宽的高密度 256 Kbit 并行 SRAM
数据手册

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CY14E256LA-SZ25XI
CY14E256LA-SZ25XI
数据手册

商品详情

  • 密度
    256 kBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度
    -40 °C to 85 °C
  • 工作电压 (VCCQ) max
    5.5 V
  • 工作电压
    4.5 V to 5.5 V
  • 引线球表面
    Pure Sn
  • 接口
    Parallel
  • 组织(X x Y)
    32Kb x 8
  • 认证标准
    Industrial
  • 速度
    25 ns
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
包装尺寸
包装类型
湿度
防潮包装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:
Cypress CY14E256LA-SZ25XI 是一款采用 QuantumTrap 技术的快速静态 RAM，可提供可靠的非易失性存储器。它提供无限的读/写周期以及 SRAM 与非易失性元件之间的自动数据传输，确保高效的数据存储和检索。

特性

  • 25 ns 和 45 ns 访问时间
  • 内部组织为 32 K × 8 (CY14E256LA)
  • 通过软件或加电启动来调用 SRAM
  • 无限次读取、写入和调用循环
  • 100 万次 STORE 循环至 QuantumTrap
  • 20 年数据保留
  • 单路 5 V ± 10% 运行
  • 工业温度

应用

文档

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设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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