CY14E256LA-SZ45XI

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数据手册

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CY14E256LA-SZ45XI
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数据手册

商品详情

  • 密度
    256 kBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 最高 工作电压 (VCCQ)
    5.5 V
  • 工作电压 范围
    4.5 V 至 5.5 V
  • 引线球表面
    Pure Sn
  • 接口
    Parallel
  • 组织(X x Y)
    32Kb x 8
  • 认证标准
    Industrial
  • 速度
    45 ns
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:
CY14E256LA-SZ45XI是一款 256-Kbit (32 K × 8) 并行 nvSRAM，结合了快速 SRAM 和 QuantumTrap 非易失性存储。 它采用 4.5 V 至 5.5 V 的单电源供电，工作温度范围为 -40°C 至 +85°C，并支持 45 ns 访问时间。 数据在掉电时使用 61 µF 至 180 µF VCAP 电容器自动存储，并具有软件或引脚启动的STORE/RECALL、1M 存储循环次数和 20 年数据保留期。

特性

  • 32 K × 8 nvSRAM 阵列
  • QuantumTrap 非易失性信元
  • 电源恢复时自动存储 (VCAP)
  • 通过 6 读序列进行软件存储
  • 通过 6 读序列进行软件召回
  • HSB 引脚：HW STORE 请求
  • HSB 开漏忙指示器
  • 单电源供电，4.5V 至 5.5V
  • VCAP 电容器 61 µF 至 180 µF
  • 低电平-V 禁止写入和存储
  • 20 年数据保留
  • 1,000 K STORE 循环耐久性

产品优势

  • 断电仍可保留数据
  • 无需电池后备 SRAM
  • AutoStore 自动保存状态，无需人工干预
  • 通过简单的MCU读取进行STORE/RECALL
  • HSB 忙标志避免总线冲突
  • 可使用普通的 5V 电源轨
  • 明确定义的 VCAP 范围加快设计导入
  • 低压锁定防止数据损坏
  • 耐久度适合频繁数据记录
  • 长期数据保持，便于维护支持
  • 无需固件即可提供非易失备份
  • 供电恢复后减少停机时间

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区