CY14E256LA-SZ45XI

数据手册

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CY14E256LA-SZ45XI
CY14E256LA-SZ45XI
数据手册

商品详情

  • 密度
    256 kBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 最高 工作电压 (VCCQ)
    5.5 V
  • 工作电压 范围
    4.5 V 至 5.5 V
  • 引线球表面
    Pure Sn
  • 接口
    Parallel
  • 组织(X x Y)
    32Kb x 8
  • 认证标准
    Industrial
  • 速度
    45 ns
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
包装尺寸
包装类型
湿度
防潮包装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:
CY14E256LA-SZ45XI为256 Kbit（32 K × 8）并行nvSRAM，每个存储单元将高速SRAM与QuantumTrap非易失存储结合。单电源4.5 V至5.5 V，−40°C至+85°C工作，45 ns访问时间。掉电时通过61 µF至180 µF的VCAP电容自动STORE，并支持软件或引脚触发STORE/RECALL、100万次STORE和20年数据保持。

特性

  • 32 K×8 nvSRAM阵列
  • QuantumTrap非易失单元
  • 掉电自动STORE(VCAP)
  • 6次读触发软件STORE
  • 6次读触发软件RECALL
  • HSB引脚硬件STORE请求
  • HSB开漏忙指示
  • 单电源4.5 V至5.5 V
  • VCAP电容61 µF至180 µF
  • 低压禁止写入与STORE
  • 数据保持20年
  • STORE耐久1,000 K次

产品优势

  • 断电仍可保持数据
  • 无需电池备份SRAM
  • AutoStore免干预保存状态
  • 简单MCU读序列控存取
  • HSB忙信号避免总线冲突
  • 适配常见5 V电源
  • VCAP范围明确加速选型
  • 低压锁定防止数据损坏
  • 耐久度适合频繁记录
  • 长保持期利于维护
  • 无需固件也可备份数据
  • 来电后更快恢复运行

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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