CY14U256LA-BA35XI
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

CY14U256LA-BA35XI

数据手册
封装

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CY14U256LA-BA35XI
CY14U256LA-BA35XI
数据手册


商品详情

  • 密度
    256 kBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 工作电压 范围
    2.7 V 至 3.6 V
  • 引线球表面
    Sn/Ag/Cu
  • 接口
    Parallel
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
  • 组织(X x Y)
    32Kb x 8
  • 质量等级
    Industrial
  • 速度
    35 ns

推荐的
OPN
CY14U256LA-BA35XI
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TFBGA-48
封装名 FBGA-48 (51-85128)
封装尺寸 2990
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TFBGA-48
封装名 FBGA-48 (51-85128)
封装尺寸 2990
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
CY14U256LA-BA35XI 是一款 256Kbit (32K×8) 并行 nvSRAM，结合了 SRAM 和 QuantumTrap 非易失性存储器。它使用 120–180 µF VCAP 电容器在掉电时执行自动存储，并在上电时执行RECALL，并具有硬件或软件STORE/RECALL支持。 器件的工作电压为 2.7–3.6 Vcore和 1.65–1.95 VI/O，温度范围 –40 至 85°C ， 48 球 FBGA 封装， 35 ns 访问时间、20 年数据保留期和 1M 存储循环次数。

特性

  • 32K × 8 快速 SRAM + 非易失性内存
  • 35 ns SRAM 访问/访问时间
  • 电源恢复时自动存储 (VCAP)
  • VCAP 电容器 120–180 µF
  • 通过 AutoStore、引脚、软件存储
  • 召回乘方-up 或软件
  • HSB 开漏忙指示器
  • 在低电平电路供电电压下禁止写入/存储
  • VCCQ 电平过低时 I/O 禁用
  • 电路供电电压 2.7–3.6 V 电源
  • VCCQ 1.65–1.95 V I/O 电源
  • 20 年保留，1,000K 存储

产品优势

  • 断电仍可保持数据
  • 35 ns 的 SRAM 访问速度减少等待状态
  • AutoStore 无需固件操作
  • VCAP 支持简单的掉电保存方案
  • 支持引脚或软件 STORE，适配多种设计
  • 每次上电都能快速恢复
  • HSB 忙标志避免访问冲突
  • 低 VCC 抑制防止数据损坏
  • I/O 关闭可阻止欠压期间的写入
  • 内核供电支持 3.3 V 电源轨
  • 低电压I/O匹配MPU
  • 寿命长，适合频繁数据保存/记录

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区