现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

CY14U256LA-BA35XI

数据手册
封装

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CY14U256LA-BA35XI
CY14U256LA-BA35XI
数据手册

商品详情

  • 密度
    256 kBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 工作电压 范围
    2.7 V 至 3.6 V
  • 引线球表面
    Sn/Ag/Cu
  • 接口
    Parallel
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
  • 组织(X x Y)
    32Kb x 8
  • 认证标准
    Industrial
  • 速度
    35 ns
推荐的
OPN
CY14U256LA-BA35XI
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TFBGA-48
封装名 FBGA-48 (51-85128)
包装尺寸 2990
包装类型 TRAY
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TFBGA-48
封装名 FBGA-48 (51-85128)
包装尺寸 2990
包装类型 TRAY
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
CY14U256LA-BA35XI是一款256-Kbit（32 K × 8）并行nvSRAM，将SRAM与QuantumTrap非易失存储结合。掉电时借助120–180 µF的VCAP电容自动STORE，上电自动RECALL，并支持硬件或软件STORE/RECALL。器件供电2.7–3.6 V（核）和1.65–1.95 V（I/O），35 ns访问，20年保持，100万次STORE，48球FBGA，–40至85°C。

特性

  • 32K×8 SRAM+非易失
  • SRAM访问时间35 ns
  • 掉电自动STORE(VCAP)
  • VCAP电容120–180 µF
  • STORE:自动/引脚/软件
  • 上电或软件RECALL
  • HSB开漏忙指示
  • VCC低时禁写/禁STORE
  • VCCQ低时I/O禁用
  • VCC电源2.7–3.6 V
  • VCCQ I/O电源1.65–1.95 V
  • 数据保持20年, 1000K STORE

产品优势

  • 断电数据不丢失
  • 35 ns降低等待周期
  • 自动STORE无需固件干预
  • VCAP简化掉电保存设计
  • 引脚/软件STORE更灵活
  • 每次上电快速恢复数据
  • HSB忙指示避免冲突
  • 低VCC禁写防数据损坏
  • I/O禁用防棕断误写
  • 适配3.3 V系统电源
  • 低压I/O匹配MPU接口
  • 适合频繁保存且寿命长

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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