CY14V101LA-BA25XIT
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

CY14V101LA-BA25XIT

封装

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CY14V101LA-BA25XIT
CY14V101LA-BA25XIT

商品详情

  • 密度
    1 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 工作电压 范围
    2.7 V 至 3.6 V
  • 引线球表面
    Sn/Ag/Cu
  • 接口
    Parallel
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
  • 组织(X x Y)
    128K x 8
  • 认证标准
    Industrial
推荐的
OPN
CY14V101LA-BA25XIT
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TFBGA-48
封装名 FBGA-48 (51-85128)
封装尺寸 2000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TFBGA-48
封装名 FBGA-48 (51-85128)
封装尺寸 2000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
CY14V101LA-BA25XIT是一款 1 Mbit (128 K × 8) 并行 nvSRAM，它将快速 SRAM 与 QuantumTrap 非易失性 SRAM 相结合。 它的工作电压为 3.0 V 至 3.6 V Vcore 和 1.65 V 至 1.95 VI/O，在 −40°C 至 85°C 温度范围内的访问时间为 25 ns。 AutoStore 在掉电时使用 61 µF 至 180 µF VCAP 电容器将 SRAM 保存到非易失性存储器中； RECALL 在上电时恢复。 耐久性为 100 万次 STORE 循环，保存期为 20 年。

特性

  • 1 Mbit nvSRAM (128Kx8/64Kx16)
  • 25 ns 和 45 ns 访问/访问时间
  • 电源恢复时自动存储 (VCAP)
  • 通过 HSB 引脚或软件存储
  • 通过乘方上或软件召回
  • 20 年数据保留
  • 100万次存储循环（量子阱）
  • 无限SRAM读写和调用
  • 磁芯电路供电电压 3.0 V 至 3.6 V
  • I/O VCCQ 1.65V 至 1.95V
  • 待机电流 ISB 最大 8 mA
  • 输入漏电流 IIX 最大值 ±1 µA

产品优势

  • 类 SRAM 的高速随机访问
  • 电量丢失时自动备份
  • 无需电池备份 SRAM
  • 支持手动 STORE 用于检查点保存
  • 来电后恢复状态
  • 数据保存期限为20年
  • 能够承受频繁的非易失性保存
  • 正常 SRAM 使用无磨损老化问题
  • 适配标准 3.3 V 内核电源轨
  • 接口至 1.8 V 逻辑电平
  • 待机模式下空闲功耗更低
  • 低漏电减少总线负载
文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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