现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

CY14V101NA-BA45XIT

数据手册
封装

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CY14V101NA-BA45XIT
CY14V101NA-BA45XIT
数据手册

商品详情

  • 密度
    1 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 工作电压 范围
    2.7 V 至 3.6 V
  • 引线球表面
    Sn/Ag/Cu
  • 接口
    Parallel
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
  • 组织(X x Y)
    64K x 16
  • 认证标准
    Industrial
推荐的
OPN
CY14V101NA-BA45XIT
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TFBGA-48
封装名 FBGA-48 (51-85128)
包装尺寸 2000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TFBGA-48
封装名 FBGA-48 (51-85128)
包装尺寸 2000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
CY14V101NA-BA45XIT为1 Mbit（64 K×16）并行nvSRAM，将SRAM与QuantumTrap非易失存储集成，可在断电时保持数据。支持45 ns访问，掉电时配合61–180 µF的VCAP电容自动AutoStore，上电或软件触发RECALL。数据保持20年、STORE寿命1,000 K次，VCC 3.0–3.6 V、VCCQ 1.65–1.95 V，温度−40至85°C，48球FBGA。

特性

  • 1 Mbit nvSRAM(128Kx8/64Kx16)
  • 25 ns与45 ns访问时间
  • 掉电自动STORE(VCAP)
  • HSB引脚或软件STORE
  • 上电或软件RECALL
  • 20年数据保持
  • QuantumTrap 100万次STORE
  • SRAM读写与RECALL无限次
  • 内核VCC 3.0 V到3.6 V
  • I/O VCCQ 1.65 V到1.95 V
  • 待机电流ISB最大8 mA
  • 输入漏电IIX最大±1 µA

产品优势

  • SRAM级快速随机访问
  • 掉电自动备份数据
  • 无需电池后备SRAM
  • 手动STORE实现检查点
  • 来电后快速恢复状态
  • 数据可保持20年
  • 适合频繁非易失保存
  • 常规SRAM使用无磨损
  • 适配3.3 V内核电源
  • 兼容1.8 V逻辑电平
  • 待机功耗更低
  • 低漏电减小总线负载

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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