CY14V101QS-SE108XQ

数据手册

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CY14V101QS-SE108XQ
CY14V101QS-SE108XQ
数据手册

商品详情

  • 密度
    1024 kBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 105 °C
  • 工作电压 范围
    2.7 V 至 3.6 V
  • 引线球表面
    Ni/Pd/Au
  • 接口
    QSPI
  • 组织(X x Y)
    128Kb × 8
  • 认证标准
    Industrial(Q)
  • 速度
    0 ns
  • 频率
    108 MHz
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
包装尺寸
包装类型
湿度
防潮包装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:
CY14V101QS-SE108XQ是一款1 Mbit（128K×8）Quad SPI nvSRAM，将SRAM与SONOS非易失单元结合。支持SPI/DPI/QPI，时钟108 MHz，读写速率最高54 MBps。掉电时AutoStore将SRAM写入非易失存储，上电RECALL恢复；也可通过指令或HSB引脚触发STORE/RECALL。VCC 2.7 V至3.6 V，I/O 1.71 V至2.0 V，-40°C至105°C。

特性

  • 1 Mbit（128K×8）nvSRAM
  • SPI/DPI/QPI高达108 MHz
  • 40 MHz读零等待周期
  • 读写带宽54 MBps
  • 支持SPI模式0和3
  • 突发读并支持回卷
  • 突发写并支持回卷
  • 掉电AutoStore（VCAP）
  • 上电自动RECALL
  • 软件STORE/RECALL指令
  • HSB硬件STORE与状态
  • 85°C保存20年, 100万次STORE

产品优势

  • 兼具SRAM速度与非易失安全
  • 108 MHz实现高速数据传输
  • 零等待读减少系统等待
  • 54 MBps满足高吞吐需求
  • SPI 0/3便于主控对接
  • 突发读减少指令开销
  • 突发写加速块更新
  • 断电自动保存防数据丢失
  • 上电快速恢复数据
  • 软件保存/恢复简化固件
  • HSB支持硬件管理备份
  • 长保留期降低维护需求

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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