现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

CY14V116N-BZ30XI

数据手册
封装
每件.
有存货

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CY14V116N-BZ30XI
CY14V116N-BZ30XI
每件.
数据手册

商品详情

  • 密度
    16 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 工作电压 范围
    2.7 V 至 3.6 V
  • 引线球表面
    Sn/Ag/Cu
  • 接口
    Parallel
  • 目前计划的可用性至少到
    2031
  • 组织(X x Y)
    1Mb x 16
  • 认证标准
    Industrial
  • 速度
    30 ns
推荐的
OPN
CY14V116N-BZ30XI
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-BGA-165
封装名 FBGA-165 (51-85195)
包装尺寸 105
包装类型 TRAY
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-BGA-165
封装名 FBGA-165 (51-85195)
包装尺寸 105
包装类型 TRAY
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
CY14V116N-BZ30XI是一款16-Mbit（1024K×16）nvSRAM，将高速SRAM与QuantumTrap非易失单元集成。支持30 ns访问时间，掉电时通过VCAP电容自动STORE，STORE/RECALL也可由软件或HSB引脚触发。工作电压VCC 2.7 V至3.6 V、VCCQ 1.65 V至1.95 V，温度范围-40°C至+85°C，165球FBGA封装。支持100万次STORE与20年数据保持。

特性

  • 16-Mbit nvSRAM(1024K×16)
  • 每单元含QuantumTrap NVM
  • 掉电AutoStore(VCAP)
  • HSB引脚或软件STORE
  • 上电或软件RECALL
  • 全阵列并行STORE/RECALL
  • STORE/RECALL期间禁读写
  • BHE/BLE支持8位访问
  • VCC=2.7 V到3.6 V
  • VCCQ=1.65 V到1.95 V
  • 睡眠电流10 µA
  • 数据保持20年

产品优势

  • 断电数据不丢失
  • 无需电池即可备份数据
  • 掉电自动保护数据
  • 保存/恢复方式更灵活
  • 上电快速恢复运行
  • STORE/RECALL行为可预测
  • 兼容8位或16位总线
  • 低睡眠电流降待机功耗
  • 分离VCC/VCCQ便于电平匹配
  • 支持频繁保存的高耐久
  • 并行传输减少停机时间
  • 未写SRAM时避免STORE

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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