CY15B004Q-SXET
现货，推荐
符合RoHS标准

CY15B004Q-SXET

封装

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CY15B004Q-SXET
CY15B004Q-SXET

商品详情

  • 密度
    4 kBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 125 °C
  • 工作电压 (VCCQ) 范围
    2.7 V 至 3.65 V
  • 工作电压 范围
    3 V 至 3.6 V
  • 引线球表面
    Pure Sn
  • 接口
    SPI
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
  • 组织(X x Y)
    0.5Kb x 8
  • 认证标准
    Automotive(E)
  • 速度
    0 ns
  • 频率
    16 MHz
推荐的
OPN
CY15B004Q-SXET
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-DSO-8
封装名 SOIC-8 (51-85066)
封装尺寸 2500
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-DSO-8
封装名 SOIC-8 (51-85066)
封装尺寸 2500
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
CY15B004Q-SXET是一款4-Kbit（512 × 8）汽车级铁电RAM（F-RAM），具备10万亿次读写耐久性和121年数据保持（85°C）。工作电压3.0 V至3.6 V，支持最高16 MHz SPI总线，硬件和软件写保护。低功耗：1 MHz时200 μA，85°C待机6 μA。符合AEC-Q100 Grade 1（-40°C至+125°C），适用于频繁数据记录和汽车环境。

特性

  • 4 Kbit非易失性F-RAM，512×8结构
  • 10万亿次(10¹³)读写耐久性
  • 85°C下121年数据保持
  • NoDelay™写入，支持总线速度
  • SPI接口最高16 MHz
  • 硬件和软件写保护
  • 1 MHz时200 μA低功耗
  • 85°C下6 μA待机电流
  • 宽电压：3.0 V至3.6 V
  • 工作温度：–40°C至+125°C
  • 可直接替换串行闪存/EEPROM
  • 支持SPI模式0和3

产品优势

  • 10¹³次循环后数据仍可靠
  • 无写入延迟，数据即刻存储
  • 121年保持防止数据丢失
  • 16 MHz SPI提升传输速度
  • 写保护增强数据安全
  • 200 μA有源降低系统功耗
  • 6 μA待机延长电池寿命
  • –40°C至+125°C可靠运行
  • 易于替换闪存/EEPROM设计
  • SPI多模式简化设计
  • 宽VDD简化电源设计
  • 高耐久适合频繁写入应用
文档

设计资源

合作伙伴解决方案

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