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CY15B016J-SXAT
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已停产
符合RoHS标准
无铅

CY15B016J-SXAT

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CY15B016J-SXAT
CY15B016J-SXAT
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商品详情

  • Frequency
    1 MHz
  • 密度
    16 kBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 工作电压 范围
    3 V 至 3.6 V
  • 工作电压 (VCCQ) 范围
    2.7 V 至 3.65 V
  • 引线球表面
    Pure Sn
  • 接口
    I2C
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
  • 组织(X x Y)
    2Kb x 8
  • 质量等级
    Automotive(A)
  • 速度
    0 ns

OPN
CY15B016J-SXAT
产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-DSO-8
封装名 SOIC-8 (51-85066)
封装尺寸 2500
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
封装产地
TH
晶圆产地
US
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产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-DSO-8
封装名 SOIC-8 (51-85066)
封装尺寸 2500
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地
TH
晶圆产地
US
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CY15B016J-SXAT是一款16 Kbit（2K × 8）汽车级串行F-RAM，采用I2C接口，工作电压2.7 V至3.65 V，温度范围–40°C至+85°C。具备100万亿次读写耐久、151年数据保存和NoDelay™写入，耐久性、速度和功耗优于EEPROM。支持最高1 MHz I2C速率，是汽车和工业数据记录中串行EEPROM的硬件替代。8引脚SOIC封装，符合RoHS标准，确保关键系统的可靠非易失性存储。

特性

  • 16 Kbit非易失性F-RAM，2K×8结构
  • 100万亿次读写耐久性
  • 65°C下151年数据保持
  • NoDelay™瞬时写入技术
  • I2C接口最高1 MHz
  • 100 kHz下工作电流100 μA
  • 典型待机电流3 μA
  • 宽电压范围2.7 V至3.65 V
  • 工作温度–40°C至+85°C
  • 写保护引脚确保数据安全
  • I2C引脚具施密特触发与斜率控制
  • 可直接替换I2C EEPROM

产品优势

  • 断电后数据依然可靠
  • 支持频繁快速数据记录
  • 无写入延迟，数据即刻保存
  • 耐久与保持力优于EEPROM
  • 兼容标准I2C设计
  • 降低系统功耗
  • 待机能耗极低
  • 适应恶劣环境应用
  • 防止误写保护关键数据
  • I2C总线抗干扰能力强
  • 升级EEPROM无需更改硬件
  • 降低系统可靠性风险

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区