CY15B101N-ZS60XET

数据手册

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CY15B101N-ZS60XET
CY15B101N-ZS60XET
数据手册

商品详情

  • 密度
    1 MBit
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 125 °C
  • 工作电压 范围
    2 V 至 3.6 V
  • 接口
    Parallel
  • 组织(X x Y)
    64Kx16
  • 认证标准
    Automotive(E)
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
包装尺寸
包装类型
湿度
防潮包装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:
CY15B101N-ZS60XET为1 Mbit（64K×16）非易失F-RAM，提供与SRAM兼容的并行接口，适用于直接替换SRAM。工作电压2.0 V至3.6 V，温度范围–40°C至+125°C，采用44引脚TSOP-II（51-85087），带ZZ睡眠引脚。性能包含60 ns访问、90 ns周期时间与30 ns页模式。支持10^13次读写耐久度，并在85°C下可保持数据121年。

特性

  • 1 Mbit F-RAM，64K×16
  • UB/LB可配128K×8
  • VDD工作2.0 V到3.6 V
  • 3.6 V时有源7 mA典型
  • 待机电流120 µA典型
  • ZZ低电平睡眠3 µA典型
  • 耐久度10^13次读写
  • 85°C数据保持121年
  • 页模式访问时间30 ns
  • 读周期90 ns (VDD>2.7 V)
  • 写周期90 ns (VDD>2.7 V)
  • ESD: HBM 2 kV,CDM 500 V

产品优势

  • 断电后数据仍可保持
  • 可作为SRAM直接替换
  • UB/LB支持按字节映射
  • 适配2.0–3.6 V电源轨
  • 低有源电流降低功耗
  • 低待机电流减少耗电
  • ZZ睡眠模式节能
  • 10^13次适合频繁写入
  • 长保持降低维护风险
  • 30 ns页模式提升吞吐
  • 90 ns周期适配高速总线
  • ESD增强提升可靠性

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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