CY15B101N-ZS60XET

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数据手册

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CY15B101N-ZS60XET
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数据手册

商品详情

  • 密度
    1 MBit
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 125 °C
  • 工作电压 范围
    2 V 至 3.6 V
  • 接口
    Parallel
  • 组织(X x Y)
    64Kx16
  • 认证标准
    Automotive(E)
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:
CY15B101N-ZS60XET是一款 1 Mbit (64K × 16) 非易失性F-RAM™ ，具有与 SRAM 兼容的并行接口，可直接替换。 其工作电压范围为 2.0 V 至 3.6 V，工作温度范围为 -40°C 至 +125°C，采用 44 引脚 TSOP-II (51-85087) 封装，带有 ZZ 睡眠引脚。性能包括 60 ns 访问时间、90 ns 周期时间和 30 ns 页模式。 它支持 10^13 读/写耐久性，在 85°C 温度下可保持 121 年。

特性

  • 1-Mbit F-RAM™ ，64K × 16 阵列
  • 可通过 UB/LB 配置 128K × 8
  • VDD 工作电压为 2.0V 至 3.6V
  • 3.6 V 时的电流源为 7 mA（典型值）
  • 待机电流典型值 120 µA
  • 睡眠电流 3 µA 典型值（ZZ 低电平）
  • 耐久性：10^13 次读/写循环
  • 数据在 85°C 下可保存 121 年
  • 分页模式访问/访问时间30 ns
  • 读取周期时间为 90 ns (VDD>2.7 V)
  • 写入周期时间为 90 ns (VDD>2.7 V)
  • 静电防护：HBM 2 kV，CDM 500 V

产品优势

  • 断电仍可保持数据
  • 可直接替换 SRAM，设计兼容
  • UB/LB 支持按字节映射
  • 运行电压范围为 2.0–3.6 V
  • 低工作电流降低功耗
  • 低待机电流降低空闲耗电
  • 通过 ZZ 进入睡眠模式以节能
  • 10^13 次循环寿命，适合频繁写入
  • 长保持时间降低维护风险
  • 30 ns 页模式提高吞吐量
  • 90 ns 周期时间满足高速总线时序
  • ESD 抗扰度高，提升可靠性

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区