现货，推荐
符合RoHS标准

CY15B102N-ZS60XM

数据手册
封装

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CY15B102N-ZS60XM
CY15B102N-ZS60XM
数据手册

商品详情

  • 密度
    2 MBit
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 125 °C
  • 工作电压 范围
    2 V 至 3.6 V
  • 接口
    Parallel
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
  • 组织(X x Y)
    128Kx16
  • 认证标准
    Military
推荐的
OPN
CY15B102N-ZS60XM
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TSOP-44
封装名 TSOP-II-44 (51-85087)
包装尺寸 270
包装类型 TRAY
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TSOP-44
封装名 TSOP-II-44 (51-85087)
包装尺寸 270
包装类型 TRAY
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
F-RAM（铁电随机存取存储器或 FeRAM）是一种独立的非易失性存储器，可让您在电源中断时立即捕获和保存关键数据。它们非常适合用于关键任务数据记录应用，例如飞行控制错误记录或改善患者生活质量的监测设备。 F-RAM 采用低功耗、小型化的设计，可在不影响速度或能源效率的情况下提供即时非易失性和几乎无限的耐久性。

特性

  • 2 Mbit密度
  • 128K x 16 结构
  • 120 年数据保留
  • 低功耗
  • 工作电压范围：2.0 至 3.6 V
  • -55°C 至 125°C 军用温度等级
  • 44-pin TSOP封装

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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