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符合RoHS标准
无铅

CY15B104QN-50SXI

数据手册
封装
每件.
有存货

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CY15B104QN-50SXI
CY15B104QN-50SXI
每件.
数据手册

商品详情

  • 密度
    4 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 工作电压 (VCCQ) 范围
    1.8 V 至 3.6 V
  • 工作电压 范围
    1.8 V 至 3.6 V
  • 引线球表面
    Pure Sn
  • 接口
    SPI
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
  • 系列
    Excelon™
  • 组织(X x Y)
    512Kb x 8
  • 认证标准
    Industrial
  • 速度
    0 ns
  • 频率
    50 MHz
推荐的
OPN
CY15B104QN-50SXI
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-DSO-8
封装名 SOIC-8 (001-85261)
包装尺寸 470
包装类型 TUBE
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-DSO-8
封装名 SOIC-8 (001-85261)
包装尺寸 470
包装类型 TUBE
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
CY15B104QN-50SXI是一款4Mb EXCELON™ LP铁电RAM，采用512K×8结构，具备10^15次读写耐久性和在60°C下151年数据保持能力。工作电压1.8 V至3.6 V，工业级温度范围（–40°C至+85°C），支持高达50 MHz的高速SPI接口。产品具备高级写保护、专用256字节特殊区、唯一设备ID和低至2.3 µA的低功耗待机，适用于工业系统中的频繁非易失性数据记录。

特性

  • 4-Mb铁电RAM，512K×8结构
  • 10^15次读写耐久
  • 70°C下151年数据保存
  • SPI接口最高50 MHz
  • 支持SPI模式0和3
  • 硬件/软件写保护
  • 专用256字节特殊区
  • 唯一设备ID和序列号
  • 有源电流2.4 mA@40 MHz
  • 待机电流2.3 µA（典型值）
  • 深度掉电0.7 µA（典型值）
  • 休眠模式0.1 µA（典型值）

产品优势

  • 适合频繁快速数据记录
  • 无磨损，关键应用理想
  • 长期数据安全，无需刷新
  • 高速SPI支持系统设计
  • 灵活SPI主机集成
  • 增强数据安全防篡改
  • 特殊区耐回流焊
  • 便于设备追踪认证
  • 低功耗延长电池寿命
  • 降低待机能耗
  • 深度休眠降低空闲功耗
  • 休眠模式极低待机功耗

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }