CY15B128J-SXE
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

CY15B128J-SXE

封装

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CY15B128J-SXE
CY15B128J-SXE

商品详情

  • 密度
    128 kBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 125 °C
  • 工作电压 (VCCQ) 范围
    2 V 至 3.6 V
  • 工作电压 范围
    2 V 至 3.6 V
  • 引线球表面
    Pure Sn
  • 接口
    I2C
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
  • 组织(X x Y)
    16Kb x 8
  • 认证标准
    Automotive(E)
  • 速度
    0 ns
  • 频率
    3.4 MHz
推荐的
OPN
CY15B128J-SXE
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-DSO-8
封装名 SOIC-8 (51-85066)
封装尺寸 485
封装类型 TUBE
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-DSO-8
封装名 SOIC-8 (51-85066)
封装尺寸 485
封装类型 TUBE
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
CY15B128J-SXE是一款128 Kbit汽车级串行F-RAM，采用I2C接口，支持100万亿次读写和151年数据保存。工作电压为2.0 V至3.6 V，频率最高达3.4 MHz。器件具有低功耗特性和快速NoDelay™写入。卓越耐久性和与串行EEPROM兼容性，使其适用于频繁数据记录和工业控制。支持-40°C至+85°C汽车温度范围。

特性

  • 128 Kbit F-RAM，16K × 8结构
  • 10¹⁴次读写耐久性
  • 65°C下151年数据保持
  • NoDelay™写入，RAM速度
  • I2C接口最高3.4 MHz
  • 有源电流175 μA（100 kHz）
  • 睡眠电流8 μA
  • 宽VDD：2.0 V至3.6 V
  • 工作温度–40°C至+85°C
  • 设备及厂家ID
  • 直接替换串行EEPROM
  • 支持传统I2C时序

产品优势

  • 实现频繁瞬时数据记录
  • 消除写入延迟提升速度
  • 10¹⁴次循环免维护
  • 151年数据保存防丢失
  • 主动/睡眠低功耗
  • 宽VDD简化电源设计
  • –40°C至+85°C可靠运行
  • 可直接替换EEPROM
  • 兼容新旧I2C设计
  • 设备ID便于追踪管理
  • 写后无需数据轮询
  • 低功耗延长电池寿命

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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