CY15B128Q-SXE
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

CY15B128Q-SXE

高性能 128kBit F-RAM，配备 40MHz SPI 接口、汽车级认证以及 -40°C 至 125°C 的宽工作温度范围
封装

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CY15B128Q-SXE
CY15B128Q-SXE

商品详情

  • 密度
    128 kBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 125 °C
  • 工作电压 (VCCQ) 范围
    2 V 至 3.6 V
  • 工作电压 范围
    2 V 至 3.6 V
  • 引线球表面
    Pure Sn
  • 接口
    SPI
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
  • 组织(X x Y)
    16Kb x 8
  • 认证标准
    Automotive(E)
  • 速度
    0 ns
  • 频率
    40 MHz
推荐的
OPN
CY15B128Q-SXE
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-DSO-8
封装名 SOIC-8 (51-85066)
封装尺寸 485
封装类型 TUBE
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-DSO-8
封装名 SOIC-8 (51-85066)
封装尺寸 485
封装类型 TUBE
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
CY15B128Q-SXE是一款128 Kbit（16K × 8）汽车级串行F-RAM，支持高达33 MHz的SPI接口，具备10^13次读写耐久性和85°C下121年数据保持。工作电压2.7 V至3.6 V，温度范围–40°C至+125°C，具备NoDelay™写入、低功耗（5 mA工作，12 µA休眠）和高级写保护。符合AEC-Q100 Grade 1和RoHS标准，适用于需频繁快速非易失性存储的汽车和工业应用。

特性

  • 128 Kbit F-RAM，16K × 8结构
  • 10^13次读写耐久
  • 85°C下121年数据保持
  • NoDelay™写入，数据即时存储
  • SPI接口高达33 MHz
  • 硬件/软件写保护
  • 有源电流5 mA（33 MHz）
  • 睡眠电流12 μA
  • 低电压：2.7 V至3.6 V
  • 工作温度–40°C至+125°C
  • 设备ID识别

产品优势

  • 关键数据可靠保存
  • 消除写延迟提升系统速度
  • 高频写入无磨损风险
  • 可替换串行闪存/EEPROM
  • 降低有源与休眠功耗
  • 防止误操作数据丢失
  • 适应恶劣温度环境
  • 便于设备识别与管理
文档

设计资源

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