CY15E016Q-SXE
现货，推荐
符合RoHS标准

CY15E016Q-SXE

数据手册
封装

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CY15E016Q-SXE
CY15E016Q-SXE
数据手册

商品详情

  • 密度
    16 kBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 125 °C
  • 工作电压 (VCCQ) 范围
    4.5 V 至 5.5 V
  • 工作电压 范围
    4.5 V 至 5.5 V
  • 引线球表面
    Pure Sn
  • 接口
    SPI
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
  • 组织(X x Y)
    2Kb x 8
  • 认证标准
    Automotive(E)
  • 速度
    0 ns
  • 频率
    16 MHz
推荐的
OPN
CY15E016Q-SXE
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-DSO-8
封装名 SOIC-8 (51-85066)
封装尺寸 970
封装类型 TUBE
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-DSO-8
封装名 SOIC-8 (51-85066)
封装尺寸 970
封装类型 TUBE
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
CY15E016Q-SXE是一款16 Kbit（2K × 8）汽车级串行F-RAM，具备10万亿（10¹³）次读写耐久性和121年@85°C数据保持能力。工作电压4.5 V至5.5 V，支持高达16 MHz的SPI通信，8引脚SOIC封装。NoDelay™写入、低工作电流（1 MHz时0.3 mA）、低待机电流（85°C时10 μA）、多重写保护和AEC-Q100 Grade 1认证，使其适用于频繁、快速且可靠的汽车和工业非易失性存储应用。

特性

  • 16 Kbit非易失性F-RAM，2K×8结构
  • 10^13次读写耐久性
  • 85°C下121年数据保持
  • NoDelay™写入，RAM级速度
  • SPI总线频率高达16 MHz
  • 支持SPI模式0和3
  • 硬件写保护（WP引脚）
  • 软件写禁止和块保护
  • 1 MHz下300 μA工作电流
  • 85°C下10 μA待机电流
  • VDD工作范围4.5 V至5.5 V
  • –40°C至+125°C工作温度

产品优势

  • 可靠数据存储无需电池
  • 可承受频繁快速数据记录
  • 严苛环境下数据保存数十年
  • 即时写入无等待
  • 高速SPI提升系统响应
  • 灵活SPI模式便于集成
  • 硬件WP防止误写
  • 软件保护确保安全更新
  • 低工作电流降低功耗
  • 超低待机节能休眠
  • 宽VDD简化电源设计
  • 宽温度适应极端环境

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区