CY15E064J-SXAT
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

CY15E064J-SXAT

封装

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CY15E064J-SXAT
CY15E064J-SXAT

商品详情

  • 密度
    64 kBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 工作电压 (VCCQ) 范围
    4.5 V 至 5.5 V
  • 工作电压 范围
    4.5 V 至 5.5 V
  • 引线球表面
    Pure Sn
  • 接口
    I2C
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
  • 组织(X x Y)
    8Kb x 8
  • 认证标准
    Automotive(A)
  • 速度
    0 ns
  • 频率
    1 MHz
推荐的
OPN
CY15E064J-SXAT
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-DSO-8
封装名 SOIC-8 (51-85066)
封装尺寸 2500
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-DSO-8
封装名 SOIC-8 (51-85066)
封装尺寸 2500
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
CY15E064J-SXAT是一款64 Kbit（8K × 8）汽车级串行F-RAM存储器，具备100万亿次读写耐久性和151年数据保持能力。工作电压4.5 V至5.5 V，温度范围-40°C至+85°C，低功耗（100 μA工作，4 μA待机），支持最高1 MHz I2C接口。NoDelay™写入和串行EEPROM直接替换，使其非常适用于高可靠性、频繁写入的汽车和工业应用场景。

特性

  • 64 Kbit F-RAM，8K × 8结构
  • 100万亿次读写耐久
  • 65°C下151年数据保持
  • NoDelay™瞬时写入技术
  • I2C串行接口最高1 MHz
  • 典型100 μA工作，4 μA待机
  • VDD范围4.5 V至5.5 V
  • –40°C至+85°C工作温度
  • WP引脚写保护
  • 施密特触发输入抗噪
  • SDA输出电容最大8 pF
  • 2 kV HBM ESD防护

产品优势

  • 实现高频数据可靠记录
  • 消除断电数据丢失风险
  • 无写延迟提升系统响应
  • 可直接替换I2C EEPROM
  • 降低系统功耗
  • 适应恶劣环境应用
  • 防止误写保护数据
  • 抗噪通信更稳定
  • 支持超长产品寿命
  • 应对高ESD环境
  • 简化系统设计
  • 数据可保存数十年

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区