CY62126EV30LL-45ZSXA
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

CY62126EV30LL-45ZSXA

数据手册
封装

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

CY62126EV30LL-45ZSXA
CY62126EV30LL-45ZSXA
数据手册


商品详情

  • 密度
    1 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 工作电压 范围
    2.2 V 至 3.6 V
  • 最高 工作电压 (VCCQ)
    3.6 V
  • 引线球表面
    Ni/Pd/Au
  • 接口
    Parallel
  • 系列
    MoBL™ SRAM
  • 组织(X x Y)
    64K x 16
  • 质量等级
    Automotive
  • 速度
    45 ns

推荐的
OPN
CY62126EV30LL-45ZSXA
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TSOP-44
封装名 TSOP-II-44 (51-85087)
封装尺寸 1350
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
封装产地
TW
晶圆产地
US

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TSOP-44
封装名 TSOP-II-44 (51-85087)
封装尺寸 1350
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地
TW
晶圆产地
US
CY62126EV30LL-45ZSXA is a 1-Mbit (64 K × 16) CMOS static RAM with 45 ns access time in a 44-pin TSOP II (Pb-free) package, specified for Automotive-A (–40°C to +85°C). It operates from 2.2 V to 3.6 V with CMOS I/O levels, supports byte writes via BLE/BHE, and provides CE/OE control for easy memory expansion. Automatic CE power-down enables 1 µA typical standby (4 µA max at 3.6 V).

特性

  • 1-Mbit SRAM organized as 64K × 16
  • 45 ns read/write cycle time
  • 2.2 V to 3.6 V single-supply VCC
  • 1.3 mA typ active at 1 MHz
  • 4 µA max standby current
  • Auto power-down when addr static
  • Data retention at VCC down to 1.5 V
  • 3 µA max data-retention current
  • Byte write via BLE/BHE controls
  • Tri-state I/O via CE/OE/BHE/BLE

产品优势

  • 16-bit bus cuts MCU accesses
  • 45 ns suits fast SRAM interfaces
  • 2.2–3.6 V fits 3 V systems
  • Low active current extends runtime
  • µA standby minimizes sleep drain
  • Auto power-down saves idle power
  • 1.5 V retain data in deep sleep
  • Low ICCDR reduces backup load
  • Byte writes reduce write energy
  • Tri-state eases bus sharing/expand
文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区