CY62128ELL-55SXET
现货，推荐
符合RoHS标准

CY62128ELL-55SXET

数据手册
封装

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CY62128ELL-55SXET
CY62128ELL-55SXET
数据手册

商品详情

  • 密度
    1 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 125 °C
  • 最高 工作电压 (VCCQ)
    5.5 V
  • 工作电压 范围
    4.5 V 至 5.5 V
  • 引线球表面
    Ni/Pd/Au
  • 接口
    Parallel
  • 系列
    MoBL™ SRAM
  • 组织(X x Y)
    128K x 8
  • 认证标准
    Automotive
  • 速度
    55 ns
推荐的
OPN
CY62128ELL-55SXET
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-DSO-32
封装名 SOIC-32 (51-85081)
封装尺寸 1000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-DSO-32
封装名 SOIC-32 (51-85081)
封装尺寸 1000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
CY62128ELL-55SXET是一款1-Mbit（128 K × 8）CMOS静态RAM，适用于4.5 V至5.5 V系统，55 ns访问时间（Automotive-E）。工作温度–40°C至+125°C，采用TTL输入电平（VIH最小2.2 V），并通过CE1、CE2与OE控制支持便捷存储器扩展。自动CE省电将待机降至ISB2典型1 µA（最大30 µA）。有源电流ICC在1 MHz典型1.3 mA，VCC(max)与fmax时典型11 mA。

特性

  • 128K×8 SRAM存储结构
  • 读周期tRC 45 ns
  • VCC工作范围4.5 V至5.5 V
  • 1 MHz下ICC典型1.3 mA
  • 待机电流典型1 µA
  • 自动CE掉电(ISB2)
  • CE1/CE2与OE控制
  • 未选通输出高阻态
  • TTL兼容输入电平
  • VIH 2.2 V,VIL 0.8 V
  • 输入电容最大10 pF
  • OE到数据有效tDOE 22 ns

产品优势

  • 45 ns速度降低访问延迟
  • 5 V供电适配旧系统
  • 典型1.3 mA降低功耗
  • 1 µA待机延长电池寿命
  • 自动掉电降低空闲耗电
  • CE1/CE2便于存储扩展
  • 高阻输出便于总线共享
  • TTL电平便于直连MCU
  • 阈值明确降低误判风险
  • 低电容改善时序裕量
  • OE读出22 ns响应更快
  • 低待机降低系统发热

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区