CY62136EV30LL-45ZSXI
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

CY62136EV30LL-45ZSXI

数据手册
封装

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CY62136EV30LL-45ZSXI
CY62136EV30LL-45ZSXI
数据手册

商品详情

  • 密度
    2 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 最高 工作电压 (VCCQ)
    3.6 V
  • 工作电压 范围
    2.2 V 至 3.6 V
  • 引线球表面
    Pure Sn
  • 接口
    Parallel
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
  • 系列
    MoBL™ SRAM
  • 组织(X x Y)
    128K x 16
  • 认证标准
    Industrial
  • 速度
    45 ns
推荐的
OPN
CY62136EV30LL-45ZSXI
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TSOP-44
封装名 TSOP-II-44 (51-85087)
封装尺寸 675
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TSOP-44
封装名 TSOP-II-44 (51-85087)
封装尺寸 675
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
CY62136EV30LL-45ZSXI是一款2 Mbit（128K×16）的CMOS静态RAM，45 ns访问时间，用于便携式与嵌入式系统的随机数据存储。器件工作电压2.2 V至3.6 V，温度范围-40°C至+85°C；在fmax时ICC最高20 mA，并支持自动CE掉电待机（典型1 µA，最大7 µA）。未选通或写入时I/O为高阻态。-45ZSXI为无铅44引脚TSOP II封装。

特性

  • 128K16 CMOS SRAM
  • 45 ns
  • VCC
  • 1 MHz mA
  • CE
  • 16 I/O BLE/BHE
  • CE/OE
  • VCC=1.0 V
  • ICCDR 3 cA (1.0 V)
  • OE 22 ns

产品优势

  • 45 ns
  • 2.2 3.6 V
  • 1 cA
  • 7 cA
  • 1 MHz mA
  • CE
  • 1.0 V
  • ICCDR
  • OE
  • 16

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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