CY62137FV30LL-45BVXIT
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

CY62137FV30LL-45BVXIT

数据手册
封装

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CY62137FV30LL-45BVXIT
CY62137FV30LL-45BVXIT
数据手册


商品详情

  • 密度
    2 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 工作电压 范围
    2.2 V 至 3.6 V
  • 引线球表面
    Sn/Ag/Cu
  • 接口
    Parallel
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
  • 系列
    MoBL™ SRAM
  • 组织(X x Y)
    128K x 16
  • 质量等级
    Industrial

推荐的
OPN
CY62137FV30LL-45BVXIT
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-VFBGA-48
封装名 VFBGA-48 (51-85150)
封装尺寸 2000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
预估长期供货截止日期 2033
产品发布日期 03/2022
封装产地
TH
晶圆产地
US

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-VFBGA-48
封装名 VFBGA-48 (51-85150)
封装尺寸 2000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
预估长期供货截止日期 2033
产品发布日期 03/2022
封装产地
TH
晶圆产地
US
CY62137FV30LL-45BVXIT is a 2-Mbit (128 K × 16) CMOS SRAM with 45 ns access for fast, battery-powered designs. It runs from 2.2 V to 3.6 V across −40°C to +85°C and supports byte control via BLE/BHE with CE/OE for expansion. Automatic power-down reduces current when deselected; ICC is 1.6 mA typ at 1 MHz (2.5 mA max) and standby is 1 µA typ (5 µA max). The BV option is a 48-ball Pb-free VFBGA.

特性

  • 2-Mbit SRAM, 128K × 16
  • 45 ns read/write cycle time
  • VCC operating range 2.2 V to 3.6 V
  • Ambient TA −40°C to +85°C
  • 1.6 mA typ ICC at 1 MHz
  • 13 mA typ ICC at fmax
  • 1 µA typ standby current (ISB)
  • 5 µA max standby current (ISB)
  • Auto power-down when deselected
  • BLE/BHE byte enables (8-bit)
  • Data retention at VCC = 1.5 V
  • ICCDR max 4 µA at 1.5 V

产品优势

  • 16-bit bus boosts bandwidth
  • 45 ns access reduces CPU stalls
  • 2.2–3.6 V fits 3 V rails
  • −40 to +85°C handles harsh envs
  • Low active current cuts energy use
  • Low standby extends battery life
  • Auto power-down saves idle power
  • Byte writes reduce update energy
  • High-Z outputs ease bus sharing
  • 1.5 V retention preserves data
  • CE/OE control simplifies expansion
  • Low leakage supports data integrity

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区