CY62138FLL-45SXI
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

CY62138FLL-45SXI

数据手册
封装

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CY62138FLL-45SXI
CY62138FLL-45SXI
数据手册


商品详情

  • 密度
    2 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 工作电压 范围
    4.5 V 至 5.5 V
  • 最高 工作电压 (VCCQ)
    5.5 V
  • 引线球表面
    Pure Sn
  • 接口
    Parallel
  • 目前计划的可用性至少到
    See roadmap
  • 系列
    MoBL™ SRAM
  • 组织(X x Y)
    256K x 8
  • 质量等级
    Industrial
  • 速度
    45 ns

推荐的
OPN
CY62138FLL-45SXI
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-DSO-32
封装名 SOIC-32 (51-85081)
封装尺寸 500
封装类型 TUBE
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
封装产地
TW
晶圆产地
US

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-DSO-32
封装名 SOIC-32 (51-85081)
封装尺寸 500
封装类型 TUBE
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地
TW
晶圆产地
US
CY62138FLL-45SXI is a 2-Mbit (256K × 8) high-performance CMOS static RAM with TTL input levels for processor interfaces. It operates from 4.5 V to 5.5 V over -40°C to +85°C and delivers 45 ns access time. Low-power operation includes 1.6 mA typical ICC at 1 MHz (2.5 mA max) and automatic CE power-down standby of 1 µA typical (5 µA max) when deselected. The -45SXI option is a Pb-free 32-pin SOIC.

特性

  • 2-Mbit SRAM, 256K × 8 org
  • 45 ns read/write cycle time
  • 4.5 V to 5.5 V supply (VCC)
  • 1.6 mA typ active at 1 MHz
  • 1 µA typ standby, 5 µA max
  • Automatic power-down via CE
  • 2.0 V data retention supply (VDR)
  • ICCDR 1 µA typ, 5 µA max
  • TTL-compatible input levels
  • Tri-state outputs with OE/CE/WE
  • Input/output leakage ±1 µA
  • ESD > 2001 V (MIL-STD-883)

产品优势

  • Fast 45 ns SRAM lowers wait states
  • Fits 5 V rails in legacy designs
  • Low active current cuts power use
  • µA standby extends battery run time
  • Auto power-down saves idle energy
  • 2.0 V retention prevents data loss
  • Low ICCDR eases backup supply sizing
  • TTL inputs simplify MCU/CPU hookup
  • Tri-state enables shared data bus
  • Low leakage reduces standby losses
  • High ESD improves handling robustness
  • CE/OE control supports expansion

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区