CY62146ESL-45ZSXIT
现货,推荐
符合RoHS标准
无铅

CY62146ESL-45ZSXIT

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CY62146ESL-45ZSXIT
CY62146ESL-45ZSXIT


商品详情

  • 密度
    4 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 最高 工作电压 (VCCQ)
    5.5 V
  • 工作电压 范围
    2.2 V 至 5.5 V
  • 引线球表面
    Ni/Pd/Au
  • 接口
    Parallel
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
  • 系列
    MoBL™ SRAM
  • 组织(X x Y)
    256K x 16
  • 质量等级
    Industrial
  • 速度
    45 ns

OPN
CY62146ESL-45ZSXIT
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
封装名 TSOP-II-44 (51-85087)
封装尺寸 1000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
预估长期供货截止日期 2033
产品发布日期 03/2022
封装产地
PH
晶圆产地
TW,US

产品状态
Active
英飞凌封装名称
封装名 TSOP-II-44 (51-85087)
封装尺寸 1000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
预估长期供货截止日期 2033
产品发布日期 03/2022
封装产地
PH
晶圆产地
TW,US
CY62146ESL-45ZSXI is a 4-Mbit (256K × 16) CMOS SRAM for battery-powered embedded systems. It runs from 2.2 V to 3.6 V or 4.5 V to 5.5 V over -40°C to +85°C and offers 45 ns access time. Active current is 3.5 mA typical at 1 MHz (6 mA max) and standby is 2.5 µA typical (7 µA max) using automatic CE power-down when deselected. 44-pin TSOP II package supports easy memory expansion with CE/OE.

特性

  • 256K × 16 CMOS SRAM organization
  • 45 ns read cycle time (tRC)
  • 22 ns OE LOW to data valid
  • Byte write via BHE/BLE enables
  • 2.5 µA typ standby (ISB1/ISB2)
  • 7 µA max standby (ISB1/ISB2)
  • 3.5 mA typ active at 1 MHz
  • Automatic power-down on CE HIGH
  • Output tri-state on CE/OE/BHE/BLE
  • Input/output leakage ±1 µA
  • CIN/COUT max 10 pF at 1 MHz
  • ESD >2001 V (MIL-STD-883)

产品优势

  • 45 ns access supports fast buffers
  • 22 ns OE cuts read latency
  • Byte enables reduce write bandwidth
  • 2.5 µA standby extends battery life
  • 7 µA max eases power budgeting
  • 3.5 mA active lowers energy per op
  • Auto power-down saves idle power
  • Tri-state enables easy bus sharing
  • Low leakage cuts sleep mode drain
  • Low capacitance eases signal timing
  • Robust ESD improves handling yield
  • 16-bit data path boosts throughput

应用

文档

设计资源

开发者社区