CY621472E30LL-45ZSXI
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

CY621472E30LL-45ZSXI

数据手册
封装

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CY621472E30LL-45ZSXI
CY621472E30LL-45ZSXI
数据手册


商品详情

  • 密度
    4 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 最高 工作电压 (VCCQ)
    3.6 V
  • 工作电压 范围
    2.2 V 至 3.6 V
  • 引线球表面
    Ni/Pd/Au
  • 接口
    Parallel
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
  • 系列
    MoBL™ SRAM
  • 组织(X x Y)
    256K x 16
  • 质量等级
    Industrial
  • 速度
    45 ns

推荐的
OPN
CY621472E30LL-45ZSXI
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TSOP-44
封装名 TSOP-II-44 (51-85087)
封装尺寸 135
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
封装产地
PH
晶圆产地
TW,US

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TSOP-44
封装名 TSOP-II-44 (51-85087)
封装尺寸 135
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地
PH
晶圆产地
TW,US
CY621472E30LL-45ZSXI是一款4 Mbit（256K×16）CMOS SRAM，适用于电池供电的嵌入式系统。工作电压2.2 V至3.6 V，温度–40°C至+85°C，访问时间45 ns。1 MHz下典型有源电流3.5 mA（最大6 mA），取消选通时自动掉电待机电流典型2.5 µA（最大7 µA）。双片选与字节使能便于扩展并支持8位访问。

特性

  • 256K×16 CMOS SRAM结构
  • 45 ns读/写周期时间
  • VCC工作范围2.2 V至3.6 V
  • 1 MHz典型有源电流3.5 mA
  • 典型待机电流2.5 µA
  • 未选通待机功耗降>99%
  • VCC=1.5 V支持数据保持
  • VCC=1.5 V时ICCDR最大8.8 µA
  • BHE/BLE实现字节写
  • 未选通自动掉电
  • OE控制三态输出

产品优势

  • 45 ns访问降低系统时延
  • 2.2–3.6 V适配常见3.3 V
  • 低有源电流延长电池续航
  • µA级待机降低休眠功耗
  • 未选通掉电节省系统能耗
  • 1.5 V保持模式保护数据
  • 字节写减少总线切换
  • 三态输出便于总线共享
  • CE1/CE2便于容量扩展
  • CMOS接口便于连接MCU
  • 高阻输出减少总线争用

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区