CY621472E30LL-45ZSXI
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

CY621472E30LL-45ZSXI

数据手册
封装

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CY621472E30LL-45ZSXI
CY621472E30LL-45ZSXI
数据手册


商品详情

  • 密度
    4 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 最高 工作电压 (VCCQ)
    3.6 V
  • 工作电压 范围
    2.2 V 至 3.6 V
  • 引线球表面
    Ni/Pd/Au
  • 接口
    Parallel
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
  • 系列
    MoBL™ SRAM
  • 组织(X x Y)
    256K x 16
  • 质量等级
    Industrial
  • 速度
    45 ns

推荐的
OPN
CY621472E30LL-45ZSXI
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TSOP-44
封装名 TSOP-II-44 (51-85087)
封装尺寸 135
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
预估长期供货截止日期 2033
产品发布日期 03/2022
封装产地
PH
晶圆产地
TW,US

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TSOP-44
封装名 TSOP-II-44 (51-85087)
封装尺寸 135
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
预估长期供货截止日期 2033
产品发布日期 03/2022
封装产地
PH
晶圆产地
TW,US
CY621472E30LL-45ZSXI is a 4-Mbit (256K × 16) CMOS SRAM for battery-powered embedded systems. It operates from 2.2 V to 3.6 V over –40°C to +85°C and delivers a 45 ns access time. Typical active current is 3.5 mA at 1 MHz (6 mA max), while standby power-down current is 2.5 µA typical (7 µA max) when deselected. Dual chip enables and byte enables support easy expansion and 8-bit accesses.

特性

  • 256K × 16 CMOS SRAM architecture
  • 45 ns read/write cycle time
  • VCC operating range 2.2 V to 3.6 V
  • 3.5 mA active at 1 MHz (typ)
  • 2.5 µA standby current (typ)
  • Standby cuts power >99% deselect
  • Data retention at VCC = 1.5 V
  • ICCDR 8.8 µA max at VCC = 1.5 V
  • Byte write via BHE/BLE controls
  • Automatic power-down on deselect
  • OE-controlled tri-state outputs

产品优势

  • Fast 45 ns access reduces latency
  • 2.2–3.6 V fits common 3.3 V
  • Low active current extends battery
  • µA standby reduces sleep power
  • Deselect power-down saves energy
  • 1.5 V retention keeps data saved
  • Byte writes cut bus activity
  • Tri-state outputs simplify bus sharing
  • CE1/CE2 supports easy expansion
  • CMOS I/O eases MCU interfacing
  • High-Z outputs reduce contention

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区