CY62147EV30LL-45B2XI
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

CY62147EV30LL-45B2XI

数据手册
封装

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CY62147EV30LL-45B2XI
CY62147EV30LL-45B2XI
数据手册


商品详情

  • 密度
    4 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 工作电压 范围
    2.2 V 至 3.6 V
  • 引线球表面
    Sn/Ag/Cu
  • 接口
    Parallel
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
  • 系列
    MoBL™ SRAM
  • 组织(X x Y)
    256K x 16
  • 质量等级
    Industrial

推荐的
OPN
CY62147EV30LL-45B2XI
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-VFBGA-48
封装名 VFBGA-48 (51-85150)
封装尺寸 960
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
预估长期供货截止日期 2033
产品发布日期 03/2022
封装产地
TH
晶圆产地
US

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-VFBGA-48
封装名 VFBGA-48 (51-85150)
封装尺寸 960
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
预估长期供货截止日期 2033
产品发布日期 03/2022
封装产地
TH
晶圆产地
US
CY62147EV30LL-45B2XI is a 4-Mbit (256K × 16) CMOS SRAM for portable, battery-powered systems, with 45 ns access. It operates from 2.2 V to 3.6 V across −40°C to +85°C and supports byte writes via BLE/BHE. Low-power operation includes automatic CE power-down, 2.5 µA typical standby (7 µA max), and 3.5 mA typical active current at 1 MHz. It is supplied in a Pb-free 48-ball VFBGA with dual chip enable.

特性

  • 256K × 16 SRAM organization
  • 45 ns read/write cycle time
  • 2.2 V to 3.6 V single supply
  • 3.5 mA active at 1 MHz typ
  • 2.5 µA standby current typ
  • 1.5 V data-retention VCC
  • 8.8 µA data-retention max
  • Auto power-down on deselect
  • Byte writes via BHE/BLE
  • Tri-state outputs with OE
  • ±1 µA input/output leakage
  • > 2001 V ESD (MIL-STD-883)

产品优势

  • 16-bit SRAM fits buffer needs
  • 45 ns supports fast CPU access
  • 2.2–3.6 V fits 3 V rails
  • Low active current cuts power
  • µA standby extends battery life
  • Retain data at 1.5 V backup
  • Low ICCDR eases hold-up design
  • Power-down saves energy when idle
  • Byte write reduces bus traffic
  • Tri-state enables easy bus sharing
  • Low leakage aids low-power designs
  • High ESD improves robustness

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区