现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

CY62147G30-45BVXIT

数据手册
封装

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CY62147G30-45BVXIT
CY62147G30-45BVXIT
数据手册

商品详情

  • 密度
    4 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 工作电压 范围
    2.2 V 至 3.6 V
  • 引线球表面
    Sn/Ag/Cu
  • 接口
    Parallel
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
  • 系列
    MoBL™ SRAM
  • 组织(X x Y)
    256K x 16
  • 认证标准
    Industrial
推荐的
OPN
CY62147G30-45BVXIT
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-VFBGA-48
封装名 VFBGA-48 (51-85150)
包装尺寸 2000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-VFBGA-48
封装名 VFBGA-48 (51-85150)
包装尺寸 2000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
CY62147G30-45BVXIT 是一款 4 Mbit (256K × 16 位) 高性能 CMOS 静态 RAM，具有嵌入式 ECC，用于单比特纠错，确保工业应用中可靠的数据完整性。 它的工作电压范围为 2.2 V 至 3.6 V，具有 45 ns 的快速访问时间，其特点是超低待机电流低至 3.5 μA、1.0 V 数据保留和 TTL 兼容 I/O。

特性

  • 具有 ECC 功能的 4 Mbit (256K × 16) SRAM
  • 45 ns 访问时间
  • 2.2 V–3.6V 供电电压范围
  • 超低待机电流：3.5 μA（典型值）、8.7 μA
  • 22.22 MHz 时的活动电流为 15 mA（典型值）
  • 内嵌单比特纠错
  • TTL兼容I/O
  • 字节掉电功能
  • 工业温度范围：-40°C 至 85°C
  • 单芯片使能操作

产品优势

  • ECC 提高数据可靠性
  • 45 ns 速度实现快速存储器访问
  • 宽电压范围支持灵活设计
  • 低待机电流延长电池寿命
  • 低活动电流减少功耗使用
  • 纠错功能可防止数据丢失
  • TTL I/O 简化了系统集成
  • 字节掉电（Byte power-down）可在空闲时节省功耗
  • 在恶劣环境下可靠运行
  • 简单的芯片使控制逻辑变得简单

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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