CY62157EV30LL-45ZSXAT
现货,推荐
符合RoHS标准
无铅

CY62157EV30LL-45ZSXAT

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CY62157EV30LL-45ZSXAT
CY62157EV30LL-45ZSXAT


商品详情

  • 密度
    8 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 最高 工作电压 (VCCQ)
    3.6 V
  • 工作电压 范围
    2.2 V 至 3.6 V
  • 引线球表面
    Pure Sn;Ni/Pd/Au
  • 接口
    Parallel
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
  • 系列
    MoBL™ SRAM
  • 组织(X x Y)
    512K x 16
  • 质量等级
    Automotive
  • 速度
    45 ns

OPN
CY62157EV30LL-45ZSXAT
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
封装名 TSOP-II-44 (51-85087)
封装尺寸 1000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
预估长期供货截止日期 2033
产品发布日期 03/2022
封装产地
TW
晶圆产地
US

产品状态
Active
英飞凌封装名称
封装名 TSOP-II-44 (51-85087)
封装尺寸 1000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
预估长期供货截止日期 2033
产品发布日期 03/2022
封装产地
TW
晶圆产地
US
CY62157EV30LL-45ZSXAT is an 8-Mbit (512K × 16) CMOS SRAM in a Pb-free 44-pin TSOP II package for Automotive-A use. It operates from 2.20 V to 3.60 V over –40°C to +85°C and delivers 45 ns access. Ultra-low power includes 6 mA typical active current at 1 MHz and 2 µA typical standby with automatic power-down when addresses are not toggling. It supports byte enables (BHE/BLE) and CE1/CE2 for easy memory expansion.

特性

  • 8-Mbit SRAM, 512K × 16
  • Configurable 512K×16 or 1M×8
  • 45 ns read cycle time (tRC)
  • 22 ns OE to data valid (tDOE)
  • 2.20 V to 3.60 V VCC range
  • 2 µA typ standby current (ISB)
  • 6 mA typ active at 1 MHz
  • Auto power-down when deselected
  • Byte enables BHE/BLE for 8-bit
  • High-Z outputs when deselected
  • Data retention at 1.5 V VDR
  • 10 pF max input/output capacitance

产品优势

  • 8-Mbit density saves board space
  • 1M×8 option eases bus matching
  • 45 ns access supports fast CPUs
  • 22 ns OE enables quick reads
  • 2.2–3.6 V fits common rails
  • 2 µA standby extends battery life
  • 6 mA active cuts run power
  • Auto power-down reduces idle drain
  • Byte writes avoid read-modify-write
  • High-Z I/O simplifies bus sharing
  • 1.5 V retention keeps data in sleep
  • 10 pF I/O eases signal integrity
文档

设计资源

开发者社区