CY62157G30-45ZXA
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

CY62157G30-45ZXA

数据手册
封装

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

CY62157G30-45ZXA
CY62157G30-45ZXA
数据手册


商品详情

  • 实时时钟
    N
  • 密度
    8 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 工作电压 (VCCQ) 范围
    2.2 V 至 3.6 V
  • 工作电压 范围
    2.2 V 至 3.6 V
  • 引线球表面
    Pure Sn
  • 接口
    Parallel
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
  • 看门狗定时器
    N
  • 系列
    MoBL™ SRAM
  • 组织(X x Y)
    512Kb x 16
  • 警报
    N
  • 质量等级
    Automotive(A)
  • 速度
    45 ns

推荐的
OPN
CY62157G30-45ZXA
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TSOP-48
封装名 TSOP-I-48 (51-85183)
封装尺寸 960
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
预估长期供货截止日期 2033
产品发布日期 03/2022
封装产地
TH
晶圆产地
TW

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TSOP-48
封装名 TSOP-I-48 (51-85183)
封装尺寸 960
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
预估长期供货截止日期 2033
产品发布日期 03/2022
封装产地
TH
晶圆产地
TW
CY62157G30-45ZXA is an AEC-Q100 qualified 8-Mbit (512K × 16) asynchronous SRAM with embedded ECC for single-bit error correction. It operates from 2.2 V to 3.6 V over -40°C to 85°C and delivers 45 ns access time. Low-power modes include automatic power-down/standby at 1.4 µA typical (6.5 µA max) plus 1.5 V data retention for battery-backed systems. The ZXA option comes in a Pb-free 48-pin TSOP I package.

特性

  • 8-Mbit SRAM (512K x 16)
  • ECC corrects single-bit errors
  • 45 ns/55 ns read/write cycles
  • VCC 1.65-2.2 V or 2.2-3.6 V
  • 5 µA typical standby current
  • 35 µA max standby current
  • 16-bit I/O bus (I/O0 to I/O15)
  • Byte write with BHE/BLE enables
  • Dual chip-enable inputs CE1/CE2
  • I/O Hi-Z on deselect or OE high
  • Input/output leakage ±1 µA
  • 1.5-V data retention support

产品优势

  • ECC helps prevent data corruption
  • 45 ns enables fast CPU reads
  • Two VCC ranges ease rail reuse
  • 5 µA standby extends battery life
  • 35 µA max simplifies power budget
  • 16-bit bus increases data bandwidth
  • Byte writes reduce bus transactions
  • Dual CE supports easy bus sharing
  • Hi-Z outputs avoid bus contention
  • ±1 µA leakage lowers static loss
  • Data retention keeps state at 1.5 V
  • Standard OE/WE controls simplify HW

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区