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CY62167DV30LL-55BVXI
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已停产
符合RoHS标准
无铅

CY62167DV30LL-55BVXI

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CY62167DV30LL-55BVXI
CY62167DV30LL-55BVXI
替换型号
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商品详情

  • 密度
    16 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 工作电压 (VCCQ) 范围
    2.2 V 至 3.6 V
  • 工作电压 范围
    2.2 V 至 3.6 V
  • 引线球表面
    Sn/Ag/Cu
  • 接口
    Parallel
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
  • 系列
    MoBL™ SRAM
  • 组织(X x Y)
    1M x 16
  • 质量等级
    Industrial
  • 速度
    55 ns

OPN
CY62167DV30LL-55BVXI
产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-VFBGA-48
封装名 VFBGA-48 (51-85178)
封装尺寸 1050
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
封装产地
TW
晶圆产地
CN
替换型号

产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-VFBGA-48
封装名 VFBGA-48 (51-85178)
封装尺寸 1050
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地
TW
晶圆产地
CN
替换型号
CY62167DV30LL-55BVXI is a 16-Mbit (1 M × 16) CMOS SRAM in a Pb-free 48-ball FBGA (8 × 9.5 × 1 mm). It operates from 2.20 V to 3.60 V across -40°C to +85°C and is offered in a 55 ns speed grade. Typical ICC is 2 mA at 1 MHz (15 mA typ at fMax). With CE1/CE2 deselect, automatic power-down and standby support ISB of 2.5 µA typical (22 µA max at 3.60 V) for battery-powered equipment.

特性

  • 16-Mbit SRAM (1 M × 16)
  • 2.2 V to 3.6 V VCC operation
  • Auto power-down on deselect
  • Standby mode via CE1/CE2
  • 2.5 µA typ ISB1/ISB2 standby
  • 2 mA typ ICC at 1 MHz
  • Data retention at VDR = 1.5 V
  • 10 µA max data retention current
  • Byte write via BHE/BLE enables
  • I/O high-Z via CE/OE/BHE/BLE
  • ESD > 2001 V (MIL-STD-883)
  • Latch-up current > 200 mA

产品优势

  • Integrates into 16-bit buses
  • Works with common 3.3 V rails
  • Cuts idle power when deselected
  • Flexible standby control options
  • µA standby reduces sleep drain
  • Low active current saves battery
  • Keeps data with 1.5 V backup
  • Low retention current saves energy
  • Byte writes reduce write traffic
  • High-Z outputs enable bus sharing
  • Improves robustness vs ESD hits
  • Avoids latch-up in fault events

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区