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CY62167DV30LL-55ZXIT
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符合RoHS标准
无铅

CY62167DV30LL-55ZXIT

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CY62167DV30LL-55ZXIT
CY62167DV30LL-55ZXIT
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商品详情

  • 密度
    16 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 工作电压 范围
    2.2 V 至 3.6 V
  • 引线球表面
    Pure Sn
  • 接口
    Parallel
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
  • 系列
    MoBL™ SRAM
  • 组织(X x Y)
    1M x 16
  • 质量等级
    Industrial

OPN
CY62167DV30LL-55ZXIT
产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-TSOP-48
封装名 TSOP-I-48 (51-85183)
封装尺寸 1000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
封装产地
TH
晶圆产地
CN
替换型号

产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-TSOP-48
封装名 TSOP-I-48 (51-85183)
封装尺寸 1000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地
TH
晶圆产地
CN
替换型号
CY62167DV30LL-55ZXIT is a 16-Mbit (1 M × 16) CMOS static RAM for low-power systems, operating from 2.2 V to 3.6 V over -40°C to +85°C. The 55 ns speed grade supports fast asynchronous read/write with CE/OE/WE control and byte enables for 8- or 16-bit accesses. It draws 2 mA typical ICC at 1 MHz (4 mA max) and uses automatic power-down to reach 2.5 µA typ standby (22 µA max) at VCC = 3.60 V.

特性

  • 16-Mbit SRAM (1 M × 16)
  • 2.2 V to 3.6 V VCC operation
  • Auto power-down on deselect
  • Standby mode via CE1/CE2
  • 2.5 µA typ ISB1/ISB2 standby
  • 2 mA typ ICC at 1 MHz
  • Data retention at VDR = 1.5 V
  • 10 µA max data retention current
  • Byte write via BHE/BLE enables
  • I/O high-Z via CE/OE/BHE/BLE
  • ESD > 2001 V (MIL-STD-883)
  • Latch-up current > 200 mA

产品优势

  • Integrates into 16-bit buses
  • Works with common 3.3 V rails
  • Cuts idle power when deselected
  • Flexible standby control options
  • µA standby reduces sleep drain
  • Low active current saves battery
  • Keeps data with 1.5 V backup
  • Low retention current saves energy
  • Byte writes reduce write traffic
  • High-Z outputs enable bus sharing
  • Improves robustness vs ESD hits
  • Avoids latch-up in fault events

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区