现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

CY62167EV30LL-45BVXI

高密度 16MBit MoBL ™并行 SRAM | Sn/Ag/Cu 涂层 - 工业应用的理想选择，工作范围广
数据手册
封装

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CY62167EV30LL-45BVXI
CY62167EV30LL-45BVXI
数据手册

商品详情

  • 密度
    16 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 工作电压 范围
    2.2 V 至 3.6 V
  • 引线球表面
    Sn/Ag/Cu
  • 接口
    Parallel
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
  • 系列
    MoBL™ SRAM
  • 组织(X x Y)
    1M x 16
  • 认证标准
    Industrial
推荐的
OPN
CY62167EV30LL-45BVXI
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-VFBGA-48
封装名 VFBGA-48 (51-85150)
包装尺寸 4800
包装类型 TRAY
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-VFBGA-48
封装名 VFBGA-48 (51-85150)
包装尺寸 4800
包装类型 TRAY
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
CY62167EV30LL-45BVXI 是一款高性能 CMOS 静态 RAM，可提供 1M 字 x 16 位或 2M 字 x 8 位的配置。其先进的电路设计可提供超低工作电流，非常适合蜂窝电话等便携式应用中的 More Battery LifeTM (MoBL ® )。该设备具有自动关机功能，可在空闲地址期间降低 99% 的功耗，并在取消选择时激活待机模式，从而确保节能运行。此外，输入和输出引脚在各种条件下都会进入高阻抗状态，包括取消选择、禁用输出和正在进行的写入操作。CY62167EV30LL-45BVXI CMOS 静态 RAM 可带来卓越的功效和性能。

特性

  • 1M × 16 或 2M × 8 SRAM
  • 非常高的速度：45 ns
  • 宽电压范围
  • 超低待机功耗
  • 超低有功功率
  • 使用 CE1、CE2 和 OE 轻松扩展内存
  • 取消选择时自动关机
  • CMOS 可实现最佳速度和功率
  • 工业温度：-40 °C 至 +85 °C

文档

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设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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