CY62167G30-55BVXET
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

CY62167G30-55BVXET

封装

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CY62167G30-55BVXET
CY62167G30-55BVXET

商品详情

  • 密度
    16 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 125 °C
  • 最高 工作电压 (VCCQ)
    3.6 V
  • 工作电压 范围
    2.2 V 至 3.6 V
  • 引线球表面
    Sn/Ag/Cu
  • 接口
    Parallel
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
  • 系列
    MoBL™ SRAM
  • 组织(X x Y)
    1Mb x 16
  • 认证标准
    Automotive(E)
  • 速度
    55 ns
推荐的
OPN
CY62167G30-55BVXET
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-VFBGA-48
封装名 VFBGA-48 (51-85150)
封装尺寸 2000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-VFBGA-48
封装名 VFBGA-48 (51-85150)
封装尺寸 2000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
CY62167G30-55BVXET是一款16 Mbit（1M×16）异步SRAM，内置ECC用于单比特纠错。工作电压2.2 V至3.6 V，温度范围-40°C至125°C（Automotive-E），速度等级55 ns。支持自动掉电与字节掉电，待机电流典型值5.5 µA（最大75 µA），并提供BHE/BLE字节使能以实现8位访问。通过AEC-Q100认证，提供无铅48球VFBGA（编带卷盘）。

特性

  • 16-Mbit SRAM，1M×16
  • 内置ECC，单比特纠错
  • 高速访问：45 ns或55 ns
  • VCC工作范围2.2-3.6 V
  • 待机电流典型5.5 µA
  • 待机电流最大75 µA
  • VCC=1.0 V数据保持
  • 保持电流典型5.5 µA
  • 双片选输入CE1/CE2
  • BHE/BLE控制字节写
  • 非选中输出三态HI-Z
  • OE到数据有效22/25 ns

产品优势

  • 内置ECC提升数据完整性
  • 45/55 ns降低读延迟
  • 2.2-3.6 V适配3.3 V系统
  • 5.5 µA待机延长电池寿命
  • 最大75 µA便于功耗预算
  • 1.0 V保持保护关键数据
  • CE1/CE2便于总线共享
  • 字节写减少更新带宽
  • HI-Z输出避免总线冲突
  • 快速OE提升随机读速度
  • 低漏电支持低功耗模式
  • -40°C到+125°C可靠运行

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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