CY62177EV18LL-70BAXIT
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

CY62177EV18LL-70BAXIT

数据手册
封装

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CY62177EV18LL-70BAXIT
CY62177EV18LL-70BAXIT
数据手册


商品详情

  • 密度
    32 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 最高 工作电压 (VCCQ)
    2.25 V
  • 工作电压 范围
    1.65 V 至 2.25 V
  • 引线球表面
    Sn/Ag/Cu
  • 接口
    Parallel
  • 系列
    MoBL™ SRAM
  • 组织(X x Y)
    2M x 16
  • 质量等级
    Industrial
  • 速度
    70 ns

推荐的
OPN
CY62177EV18LL-70BAXIT
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TFBGA-48
封装名 FBGA-48 (51-85191)
封装尺寸 2000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
封装产地
TW
晶圆产地
US

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TFBGA-48
封装名 FBGA-48 (51-85191)
封装尺寸 2000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地
TW
晶圆产地
US
CY62177EV18LL-70BAXIT is a 32-Mbit (2 M × 16 or 4 M × 8) CMOS SRAM in a Pb-free 48-ball FBGA (8 × 9.5 × 1.2 mm). It operates from 1.65 V to 2.25 V over -40°C to +85°C with a 70 ns speed grade. It supports byte write via BHE/BLE and provides low power with 4.5 mA typical ICC at 1 MHz, 3 µA typical (25 µA max) standby, and automatic CE power-down when deselected for portable memory.

特性

  • 32-Mbit SRAM, 2M×16 or 4M×8
  • 70 ns read/write cycle time
  • VCC 1.65 V to 2.25 V operation
  • ISB2 standby current 3 µA typ
  • ISB2 standby current 25 µA max
  • ICC 4.5 mA typ at 1 MHz
  • ICC 45 mA max at fMax
  • OE/CE tri-state outputs (High-Z)
  • Byte enables BLE/BHE per 8-bit
  • tDOE 35 ns OE to data valid

产品优势

  • Fits 16-bit or 8-bit bus designs
  • 70 ns access boosts throughput
  • Runs from low-voltage rails
  • µA standby extends battery life
  • Low max standby cuts sleep power
  • Low active current reduces heat
  • Supports higher-speed bus cycles
  • High-Z outputs ease bus sharing
  • Byte writes cut write bandwidth
  • Fast OE read enables quick fetch

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

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