CY7C1041G30-10ZSXE
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

CY7C1041G30-10ZSXE

数据手册
封装

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

CY7C1041G30-10ZSXE
CY7C1041G30-10ZSXE
数据手册

商品详情

  • 密度
    4 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 125 °C
  • 工作电压 (VCCQ) 范围
    2.2 V 至 3.6 V
  • 工作电压 范围
    2.2 V 至 3.6 V
  • 引线球表面
    Ni/Pd/Au
  • 接口
    Parallel
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
  • 系列
    FAST SRAM
  • 组织(X x Y)
    256K x 16
  • 认证标准
    Automotive(E)
  • 速度
    10 ns
推荐的
OPN
CY7C1041G30-10ZSXE
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TSOP-44
封装名 TSOP-II-44 (51-85087)
封装尺寸 675
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TSOP-44
封装名 TSOP-II-44 (51-85087)
封装尺寸 675
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
CY7C1041G30-10ZSXE是一款4-Mbit（256K×16）异步CMOS SRAM，内置ECC用于单比特纠错。工作电压2.2 V至3.6 V，面向AEC-Q100车规系统。10 ns速度等级支持通过BLE/BHE进行字节写入，电流较低（ICC典型40 mA，ISB2典型6 mA，f=0）。支持-40°C至125°C（Automotive-E），并采用无铅44引脚TSOP II封装。

特性

  • 4 Mbit SRAM（256K×16）
  • 内置ECC，单比特纠错
  • 地址访问时间tAA 10 ns
  • 读周期时间tRC 10 ns
  • OE到数据有效tDOE 4.5 ns
  • BHE/BLE支持字节写
  • 双片选CE1/CE2逻辑
  • 未选通/禁用时I/O高阻
  • VCC工作范围2.2 V至3.6 V
  • 1.0 V数据保持
  • ICC典型40 mA，最大50 mA
  • ISB2待机典型6 mA，最大14

产品优势

  • 匹配16位系统，减少芯片数
  • 纠正1位错误，提升数据完整性
  • 10 ns访问降低读延迟
  • 10 ns周期支持高速总线操作
  • 4.5 ns OE加速异步读
  • 字节写降低写入带宽
  • CE1/CE2简化片选译码
  • 高阻输出便于总线共享
  • 2.2-3.6 V兼容3.3 V电源
  • 1.0 V保持减少备份功耗
  • 明确ICC便于功耗预算
  • 低待机电流降低空闲功耗
文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区