CY7C1041G30-10ZSXI
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

CY7C1041G30-10ZSXI

具有并行接口和工业认证的高性能 4 Mbit FAST SRAM
数据手册
封装

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CY7C1041G30-10ZSXI
CY7C1041G30-10ZSXI
数据手册

商品详情

  • 密度
    4 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 工作电压 (VCCQ) 范围
    2.2 V 至 3.6 V
  • 工作电压 范围
    2.2 V 至 3.6 V
  • 引线球表面
    Ni/Pd/Au
  • 接口
    Parallel
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
  • 系列
    FAST SRAM
  • 组织(X x Y)
    256K x 16
  • 认证标准
    Industrial
  • 速度
    10 ns
推荐的
OPN
CY7C1041G30-10ZSXI
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TSOP-44
封装名 TSOP-II-44 (51-85087)
封装尺寸 1350
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TSOP-44
封装名 TSOP-II-44 (51-85087)
封装尺寸 1350
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
CY7C1041G30-10ZSXI是一款4 Mbit（256K×16）异步CMOS SRAM，集成ECC用于单比特纠错。工作电压2.2 V至3.6 V，温度范围-40°C至85°C，访问时间10 ns。在最大VCC下，工作电流ICC最大45 mA（100 MHz时典型38 mA），CE自动掉电可降低待机电流（ISB2最大8 mA）。支持BLE/BHE字节访问及OE/WE/CE控制。

特性

  • 4-Mbit SRAM(256K×16)
  • 内置ECC单比特纠错
  • ERR引脚指示纠错事件
  • 地址访问时间tAA 10/15 ns
  • 读周期时间tRC 10/15 ns
  • OE到数据有效tDOE 4.5 ns
  • BHE/BLE实现按字节访问
  • 支持CE自动掉电模式
  • 数据保持电压低至1.0 V
  • 工作温度-40°C到+85°C
  • 输入/输出TTL兼容

产品优势

  • ECC提升SRAM数据可靠性
  • ERR引脚便于故障监测
  • 10 ns访问支持高速总线
  • tDOE快可降低读延迟
  • 字节使能减少带宽与功耗
  • CE掉电降低待机电流
  • 1.0 V保持利于备份供电
  • 宽温工作提升系统可靠性
  • TTL接口简化逻辑连接
文档

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