现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

CY7C1041G30-10ZSXI

具有并行接口和工业认证的高性能 4 Mbit FAST SRAM
数据手册
封装
每件.
有存货

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CY7C1041G30-10ZSXI
CY7C1041G30-10ZSXI
每件.
数据手册

商品详情

  • Density
    4 MBit
  • Peak Reflow Temp
    260 °C
  • Operating Temperature
    -40 °C to 85 °C
  • Operating Voltage (VCCQ)
    2.2 V to 3.6 V
  • Operating Voltage
    2.2 V to 3.6 V
  • Lead Ball Finish
    Ni/Pd/Au
  • Interfaces
    Parallel
  • Family
    FAST SRAM
  • Organization (X x Y)
    256K x 16
  • Currently planned availability until at least
    2033
  • Qualification
    Industrial
  • Speed
    10 ns
受到推崇的
OPN
CY7C1041G30-10ZSXI
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TSOP-44
封装名 TSOP-II-44 (51-85087)
包装尺寸 1350
包装类型 TRAY
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TSOP-44
封装名 TSOP-II-44 (51-85087)
包装尺寸 1350
包装类型 TRAY
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
CY7C1041G30-10ZSXI 是一款高性能 4 Mbit CMOS 快速静态 RAM，带有嵌入式 ECC，适用于工业应用。它的密度为 4 Mbit，提供并行接口，运行速度为 10 ns。该款FAST SRAM的工作温度范围为-40°C至85°C，工作电压范围为2.2V至3.6V。该设备具有单芯片启用选项和多引脚配置，并采用 Ni/Pd/Au 的铅球表面处理。此外，它具有 256K x 16 的组织，并包含一个 ERR 引脚，用于在读取周期内发出错误检测和纠正事件的信号。总之，CY7C1041G30-10ZSXI 为工业应用提供了高密度、高速和可靠的运行。

特性

  • 高速
  • 嵌入式 ECC，用于单位错误纠正
  • 低工作电流和待机电流
  • 工作电压范围：2.2V 至 3.6V
  • 1.0伏数据保留
  • TTL 兼容输入和输出

文档

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