CY7C1049G30-10VXIT
现货，推荐
符合RoHS标准

CY7C1049G30-10VXIT

数据手册
封装

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

CY7C1049G30-10VXIT
CY7C1049G30-10VXIT
数据手册

商品详情

  • 密度
    4 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 工作电压 (VCCQ) 范围
    2.2 V 至 3.6 V
  • 工作电压 范围
    2.2 V 至 3.6 V
  • 引线球表面
    Pure Sn
  • 接口
    Parallel
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
  • 系列
    FAST SRAM
  • 组织(X x Y)
    512K x 8
  • 认证标准
    Industrial
  • 速度
    10 ns
推荐的
OPN
CY7C1049G30-10VXIT
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-SOJ-36
封装名 SOJ-36 (51-85090)
封装尺寸 500
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-SOJ-36
封装名 SOJ-36 (51-85090)
封装尺寸 500
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
CY7C1049G30-10VXIT是一款4 Mbit（512K×8）异步CMOS SRAM，内置ECC实现单比特纠错。工作电压2.2 V至3.6 V，温度范围-40°C至85°C，访问时间10 ns。支持CE自动掉电，待机电流ISB2典型6 mA（最大8 mA），在100 MHz时ICC典型38 mA（最大45 mA）。TTL兼容I/O适合工业系统缓存/缓冲存储器。36引脚SOJ卷带。

特性

  • 4 Mbit SRAM（512K×8）
  • 内置ECC可校正1位错误
  • tAA地址访问低至10 ns
  • VCC=1.0 V支持数据保持
  • CE自动掉电（ISB2最大8 mA）
  • 100 MHz时ICC最大45 mA
  • tDOE输出使能至数据4.5 ns
  • 输入/输出TTL兼容
  • 未选通或OE高时I/O高阻
  • 环境工作–40°C至+85°C
  • 直流I/O漏电最大±1 µA
  • ERR输出提示ECC事件（GE）

产品优势

  • ECC提升读取数据可靠性
  • ERR引脚便于错误监控
  • 10 ns访问支持高速CPU
  • 宽VCC适配多电源系统
  • 1.0 V保持降低备份功耗
  • CE掉电降低待机损耗
  • ICC最大45 mA便于功耗预算
  • OE访问快降低读延迟
  • 高阻输出便于总线共享
  • TTL电平简化接口逻辑
  • –40°C至+85°C增强可靠性
  • 低漏电减少空闲损耗
文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }