CY7C1049GN30-10VXIT
现货，推荐
符合RoHS标准

CY7C1049GN30-10VXIT

数据手册
封装

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CY7C1049GN30-10VXIT
CY7C1049GN30-10VXIT
数据手册

商品详情

  • 密度
    4 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 工作电压 (VCCQ) 范围
    2.2 V 至 3.6 V
  • 工作电压 范围
    2.2 V 至 3.6 V
  • 引线球表面
    Pure Sn
  • 接口
    Parallel
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
  • 系列
    FAST SRAM
  • 组织(X x Y)
    512K x 8
  • 认证标准
    Industrial
  • 速度
    10 ns
推荐的
OPN
CY7C1049GN30-10VXIT
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-SOJ-36
封装名 SOJ-36 (51-85090)
封装尺寸 500
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-SOJ-36
封装名 SOJ-36 (51-85090)
封装尺寸 500
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
CY7C1049GN30-10VXIT是一款4-Mbit（512K×8）异步CMOS SRAM，用于随机访问缓冲。该10 ns器件工作电源2.2 V至3.6 V，温度范围-40°C至85°C（工业级），并支持CE自动掉电（ISB2最大8 mA）。TTL兼容I/O、未选通时I/O高阻态以及1.0 V数据保持，适用于嵌入式控制、网络与存储设计。

特性

  • 512K×8位SRAM结构
  • tAA访问时间低至10 ns
  • VCC系列覆盖1.65–5.5 V
  • 100 MHz时ICC最大45 mA
  • CMOS待机ISB2最大8 mA
  • TTL待机ISB1最大15 mA
  • OE/CE/WE控制读写
  • 未选通时I/O三态
  • VCC=1.0 V支持数据保持
  • VCC=1.2 V保持电流8 mA
  • tRC读周期时间10 ns
  • tDOE从OE到数据4.5 ns

产品优势

  • 适配8位MCU存储映射
  • 10 ns访问支持高速总线
  • 兼容1.8/3.3/5 V电源
  • 高速运行功耗更可控
  • 空闲待机功耗更低
  • TTL输入便于互连
  • 异步接口无需时钟
  • 高阻I/O便于共享总线
  • 备用电源下保持数据
  • 保持电流低更省电
  • 读周期短降低延迟
  • OE响应快提升总线周转
文档

设计资源

合作伙伴解决方案

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