CY7C1051H30-10BV1XE
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

CY7C1051H30-10BV1XE

数据手册
封装

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CY7C1051H30-10BV1XE
CY7C1051H30-10BV1XE
数据手册


商品详情

  • 密度
    8 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 125 °C
  • 工作电压 范围
    2.2 V 至 3.6 V
  • 工作电压 (VCCQ) 范围
    2.2 V 至 3.6 V
  • 引线球表面
    Sn/Ag/Cu
  • 接口
    Parallel
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
  • 系列
    FAST SRAM
  • 组织(X x Y)
    512Kb x 16
  • 质量等级
    Automotive(E)
  • 速度
    10 ns

推荐的
OPN
CY7C1051H30-10BV1XE
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-VFBGA-48
封装名 VFBGA-48 (51-85150)
封装尺寸 480
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
预估长期供货截止日期 2033
产品发布日期 03/2022
封装产地
TW
晶圆产地
TW

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-VFBGA-48
封装名 VFBGA-48 (51-85150)
封装尺寸 480
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
预估长期供货截止日期 2033
产品发布日期 03/2022
封装产地
TW
晶圆产地
TW
CY7C1051H30-10BV1XE is an AEC-Q100 qualified 8-Mbit (512K × 16) fast asynchronous CMOS SRAM with embedded ECC for automotive systems. It runs from 2.2 V to 3.6 V over -40°C to +125°C, with 10 ns address access (tAA). Automatic CE power-down, TTL-compatible I/O, and 1.0 V data retention support low-power standby and simple memory expansion. It is offered in a Pb-free 48-ball VFBGA (6 × 8 × 1.0 mm).

特性

  • 8-Mbit (512K × 16) SRAM
  • Embedded ECC
  • 19-bit address bus (A0–A18)
  • 16-bit I/O bus (I/O0–I/O15)
  • Byte write enables (BLE, BHE)
  • 10 ns address access time (tAA)
  • 10 ns read cycle time (tRC)
  • 5 ns OE to data valid (tDOE)
  • 2.2 V to 3.6 V VCC supply
  • –40°C to +125°C operation
  • Auto power-down on CE HIGH
  • 1.0 V data retention (VDR)

产品优势

  • Fits 16-bit wide memory needs
  • ECC improves data integrity
  • Direct 512K addressing, no MMU
  • 16-bit bus boosts throughput
  • Byte writes reduce write traffic
  • 10 ns access supports fast CPUs
  • 10 ns cycles reduce wait states
  • 5 ns OE speeds read timing
  • 2.2–3.6 V fits common rails
  • Operates across –40°C to +125°C
  • CE power-down cuts standby power
  • 1.0 V retention saves backup power

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区