CY7C1372KV25-167AXCT
现货,推荐
符合RoHS标准
无铅

CY7C1372KV25-167AXCT

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CY7C1372KV25-167AXCT
CY7C1372KV25-167AXCT


商品详情

  • ECC
    N
  • Frequency
    167 MHz
  • 密度
    18 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    0 °C 至 70 °C
  • 工作电压 范围
    2.38 V 至 2.63 V
  • 引线球表面
    Pure Sn
  • 接口
    Parallel
  • 数据宽度
    x 18
  • 架构
    NoBL, Pipeline
  • 片上端接
    N
  • 目前计划的可用性至少到
    2031
  • 系列
    NoBL
  • 组织(X x Y)
    1Mb x 18
  • 脉冲长度 (Words)
    4
  • 读取延迟(周期)
    2
  • 质量等级
    Commercial
  • 银行切换
    N

OPN
CY7C1372KV25-167AXCT
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
封装名 TQFP-100 (51-85050)
封装尺寸 750
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
预估长期供货截止日期 2031
产品发布日期 03/2022
封装产地
TW
晶圆产地
TW

产品状态
Active
英飞凌封装名称
封装名 TQFP-100 (51-85050)
封装尺寸 750
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
预估长期供货截止日期 2031
产品发布日期 03/2022
封装产地
TW
晶圆产地
TW
CY7C1372KV25-167AXCT is an 18-Mbit (1M × 18) synchronous pipelined burst SRAM using No Bus Latency (NoBL) architecture for true back-to-back read/write with zero wait states. It runs at 167 MHz (3.4 ns access) with fully registered inputs/outputs, byte write (BWa–BWb), linear or interleaved burst, and IEEE 1149.1 JTAG boundary scan. Single 2.5 V core VDD and 2.5 V I/O VDDQ (2.375–2.625 V).

特性

  • NoBL for zero wait-state R/W
  • 200 MHz synchronous pipelined SRAM
  • 3.2 ns clock-to-output at 200 MHz
  • Fully registered inputs and outputs
  • On-chip burst counter, up to 4 beats
  • Linear or interleaved burst sequence
  • Byte write via BWx byte selects
  • Auto three-state outputs on write
  • 2.375 V to 2.625 V VDD supply
  • VDDQ I/O supply from 2.375 V to VDD
  • CEN clock enable holds internal state
  • ZZ sleep mode; 65 mA standby max

产品优势

  • Zero wait states boost throughput
  • 200 MHz supports fast SRAM buses
  • 3.2 ns tCO reduces read latency
  • Pipelining eases timing closure
  • 4-beat bursts cut address overhead
  • Burst order fits cache line patterns
  • Byte writes simplify RMW updates
  • Auto tri-state avoids bus contention
  • 2.5 V core rail eases power design
  • Separate VDDQ improves I/O matching
  • CEN enables stall without data loss
  • ZZ mode cuts standby power draw

应用

文档

设计资源

开发者社区