CY7C1380KV33-167AXIT
现货,推荐
符合RoHS标准
无铅

CY7C1380KV33-167AXIT

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CY7C1380KV33-167AXIT
CY7C1380KV33-167AXIT

商品详情

  • ECC
    N
  • 密度
    18 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 工作电压 范围
    3.135 V 至 3.6 V
  • 引线球表面
    Pure Sn
  • 接口
    Parallel
  • 数据宽度
    x 36
  • 架构
    Standard Sync, Pipeline SCD
  • 片上端接
    N
  • 目前计划的可用性至少到
    2031
  • 系列
    Standard Sync
  • 组织(X x Y)
    512Kb x 36
  • 脉冲长度 (Words)
    4
  • 认证标准
    Industrial
  • 读取延迟(周期)
    2
  • 银行切换
    N
  • 频率
    167 MHz
OPN
CY7C1380KV33-167AXIT
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
封装名 TQFP-100 (51-85050)
封装尺寸 750
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
封装名 TQFP-100 (51-85050)
封装尺寸 750
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
CY7C1380KV33-167AXIT是一款18 Mbit流水线SRAM,组织为512K × 36,带输入/输出寄存器并集成2位突发计数器。内核电源为3.3 V,I/O电源为2.5 V或3.3 V,支持由ADSP/ADSC与ADV控制的同步自定时写、字节写和3-1-1-1突发访问。167 MHz工业级采用100引脚无铅TQFP,工作温度-40°C至+85°C。

特性

  • 总线最高250 MHz
  • tCO时钟到输出2.5 ns
  • 输入/输出寄存流水线
  • 3-1-1-1突发访问
  • 线性或交织突发顺序
  • 片上2位突发计数器
  • BWE+BWX字节写
  • GW全字节全局写
  • 通用I/O,OE异步三态
  • ZZ睡眠,数据保持
  • 内核VDD 3.135–3.6 V
  • I/O VDDQ 2.375–2.625或3.3 V

产品优势

  • 250 MHz支持高速SRAM总线
  • tCO 2.5 ns降低读延迟
  • 流水线提高吞吐量
  • 3-1-1-1提升突发带宽
  • 突发模式适配更多处理器
  • 自动递增减少外部逻辑
  • 字节写降低写入流量
  • GW简化整字写更新
  • OE三态便于共享总线
  • ZZ模式降低待机功耗
  • 3.135–3.6 V易电源设计
  • 2.5/3.3 V I/O易接口匹配

应用

文档

设计资源

开发者社区

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