CY7C1470BV25-250AXI
现货,推荐
符合RoHS标准
无铅

CY7C1470BV25-250AXI

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CY7C1470BV25-250AXI
CY7C1470BV25-250AXI

商品详情

  • ECC
    N
  • 密度
    72 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 工作电压 范围
    2.38 V 至 2.63 V
  • 引线球表面
    Pure Sn
  • 接口
    Parallel
  • 数据宽度
    x 36
  • 架构
    NoBL, Pipeline
  • 片上端接
    N
  • 系列
    NoBL
  • 组织(X x Y)
    2Mb x 36
  • 认证标准
    Industrial
  • 读取延迟(周期)
    1
  • 银行切换
    N
  • 频率
    250 MHz
OPN
CY7C1470BV25-250AXI
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
封装名 TQFP-100 (51-85050)
封装尺寸 144
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
封装名 TQFP-100 (51-85050)
封装尺寸 144
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
CY7C1470BV25-250AXI是一款72 Mbit同步流水线突发SRAM(2M×36),采用NoBL™逻辑,实现真正连续读/写且零等待。器件单2.5 V供电,I/O电源VDDQ为2.5 V,支持250 MHz工作,时钟到输出最大3.0 ns。支持字节写入与ZZ睡眠模式,片上突发计数器支持最多4字线性或交错突发。

特性

  • 72-Mbit同步流水SRAM
  • VDD 2.375–2.625 V
  • VDDQ 2.5 V I/O供电
  • 250 MHz总线零等待
  • tCO最大3.0 ns(250 MHz)
  • 输入/输出全寄存器
  • 无限连续读写无等待
  • 片上突发计数器最多4次
  • 线性或交错突发顺序
  • BWx字节写选择
  • CEN可暂停操作(停顿)
  • ZZ睡眠模式数据保持

产品优势

  • 零等待提升系统吞吐
  • 250 MHz支撑高速数据通路
  • 流水I/O便于时序收敛
  • 3.0 ns tCO降低读延迟
  • 连续操作最大化总线利用率
  • 4次突发减少地址开销
  • 突发顺序匹配主机逻辑
  • 字节写免读改写流程
  • CEN停顿便于时钟门控
  • ZZ睡眠待机仍保数据
  • 三态控制避免总线冲突
  • 2.5 V供电简化系统集成

应用

文档

设计资源

开发者社区